[发明专利]一种基于复合沟道和双掺杂层的抗质子辐照InP基HEMT器件及其加工方法

权利要求书

1.一种基于复合沟道和双掺杂层的抗质子辐照InP基HEMT器件，其特征在于，所述InP基HEMT的外延结构自下而上分别为InP衬底，InAlAs缓冲层，AlInGaAs/InAs/InGaAs复合沟道层，InAlAs下隔离层，Si下面掺杂层, InAlAs上隔离层，Si上面掺杂层，InAlAs肖特基势垒层，InP腐蚀截止层，InGaAs帽层；InAlAs缓冲层上设有源区隔离台面，所述InGaAs帽层的两侧分别设有源极欧姆接触金属和漏极欧姆接触金属，源极欧姆接触金属和漏极欧姆接触金属之间的InP腐蚀截止层或InAlAs肖特基势垒层上设置有T型栅极肖特基接触金属，在源极欧姆接触金属和有源区隔离台面下的InAlAs缓冲层上设有源极布线金属，在漏极欧姆接触金属和有源区隔离台面下的InAlAs缓冲层上设有漏极布线金属，在有源区隔离台面下的InAlAs缓冲层上设有栅极布线金属。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件中，InP衬底厚度为100 μm，InAlAs缓冲层厚度为500 nm，InGaAs/InAs /AlInGaAs复合沟道层厚度为15 nm，InAlAs下隔离层厚度为3 nm，Si下面掺杂层的掺杂密度为5×10¹² cm^-2的, InAlAs上隔离层厚度为2nm，Si上面掺杂层的掺杂密度为2×10¹¹ cm^-2，InAlAs肖特基势垒层厚度为10 nm，InP腐蚀截止层厚度为5 nm，InGaAs帽层厚度为15 nm且掺杂浓度为3×10¹⁹ cm^-3。

3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述InGaAs/InAs /AlInGaAs复合沟道层，包括3 nm厚的 InGaAs层、2 nm厚的 InAs层和10 nm厚的 AlInGaAs层；InGaAs/InAs /AlInGaAs复合沟道层中各元素的比例为In_0.53Ga_0.47As/InAs/In_0.53(Al_0.7Ga_0.3)₀.₄₇As；InAlAs势垒层和缓冲层各元素的比例为In_0.52Al_0.48As；InGaAs帽层各元素的比例为In_0.53Ga_0.47As。