[发明专利]阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法有效
申请号: | 202010236566.X | 申请日: | 2020-03-30 |
公开(公告)号: | CN111415948B | 公开(公告)日: | 2022-11-08 |
发明(设计)人: | 何水;郑珊珊;匡娅祺 | 申请(专利权)人: | 厦门天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/423;H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 361101 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 显示装置 制备 方法 | ||
本发明公开了一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法。包括衬底和至少一个第一薄膜晶体管;第一薄膜晶体管包括:第一栅极;位于第一栅极背离衬底一侧的第一栅极绝缘层;位于第一栅极绝缘层背离第一栅极一侧的第一有源层;位于第一有源层背离第一栅极绝缘层一侧的第二栅极绝缘层;位于第一有源层背离第一栅极绝缘层表面的第一源极和第一漏极;位于第二栅极绝缘层背离第一有源层一侧的第二栅极;第一有源层包括第一区和第二区;第一栅极在衬底上的垂直投影在第一区在衬底上的垂直投影内;第一区在衬底上的垂直投影在第二栅极绝缘层在衬底上的垂直投影内;第二栅极绝缘层在衬底上的垂直投影在第一有源层在衬底上的垂直投影内。
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法。
背景技术
液晶显示装置或者有机发光二极管显示装置的阵列基板上设置有呈阵列排布的多个像素电路,每个像素电路包括多个薄膜晶体管。目前,薄膜晶体管主要包括非晶硅薄膜晶体管、低温多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管等。然而,目前的薄膜晶体管都存在迁移率低、较大的漏电流等缺陷,使得它们在驱动发光结构或液晶时,不能提供稳定、均匀的电流或电压,进而影响显示装置的显示效果。
近几年随着对双栅结构薄膜晶体管研究的进展,基于双栅薄膜晶体管的像素电路被提出,这些像素电路能够实现提高迁移率、降低漏电流等功能。然而,现有技术中的双栅薄膜晶体管在制备过程中会出现膜层间的短路或断路的问题,影响双栅薄膜晶体管的正常工作,进而影响显示效果。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法,以解决现有技术中双栅薄膜晶体管在制备过程中会出现膜层间的短路或断路的问题。
第一方面,本发明实施例提供了一种阵列基板,该阵列基板包括衬底以及位于所述衬底上的至少一个第一薄膜晶体管;所述第一薄膜晶体管包括:
第一栅极;
第一栅极绝缘层,位于所述第一栅极背离所述衬底的一侧;
第一有源层,位于所述第一栅极绝缘层背离所述第一栅极的一侧;
第二栅极绝缘层,位于所述第一有源层背离所述第一栅极绝缘层的一侧;
第一源极和第一漏极,位于所述第一有源层背离所述第一栅极绝缘层的表面;
第二栅极,位于所述第二栅极绝缘层背离所述第一有源层的一侧;
其中,所述第一有源层包括第一区和围绕所述第一区的第二区;所述第一栅极在所述衬底上的垂直投影位于所述第一区在所述衬底上的垂直投影内;
且所述第一区在所述衬底上的垂直投影位于所述第二栅极绝缘层在所述衬底上的垂直投影内;所述第二栅极绝缘层在所述衬底上的垂直投影位于所述第一有源层在所述衬底上的垂直投影内。
第二方面,本发明实施例还提供了一种显示面板,该显示面板包括:第一方面所述的阵列基板。
第三方面,本发明实施例还提供了一种显示装置,该显示装置包括第二方面所述的显示面板。
第四方面,本发明实施例还提供了一种阵列基板的制备方法,所述阵列基板包括至少一个第一薄膜晶体管;所述第一薄膜晶体管包括:第一栅极、第一栅极绝缘层、第一有源层、第二栅极绝缘层、第一源极、第一漏极和第二栅极;
所述制备方法包括:
提供一衬底;
在所述衬底上形成所述第一栅极;
在所述第一栅极背离所述衬底的一侧形成所述第一栅极绝缘层;
在所述第一栅极绝缘层背离所述第一栅极的一侧形成所述第一有源层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的