[发明专利]阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底以及位于所述衬底上的至少一个第一薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管包括：

第一栅极；

第一栅极绝缘层，位于所述第一栅极背离所述衬底的一侧；

第一有源层，位于所述第一栅极绝缘层背离所述第一栅极的一侧；

第二栅极绝缘层，位于所述第一有源层背离所述第一栅极绝缘层的一侧；

第一源极和第一漏极，位于所述第一有源层背离所述第一栅极绝缘层的表面；

第二栅极，位于所述第二栅极绝缘层背离所述第一有源层的一侧；

其中，所述第一有源层包括第一区和围绕所述第一区的第二区；所述第一栅极在所述衬底上的垂直投影位于所述第一区在所述衬底上的垂直投影内；

且所述第一区在所述衬底上的垂直投影位于所述第二栅极绝缘层在所述衬底上的垂直投影内；所述第二栅极绝缘层在所述衬底上的垂直投影位于所述第一有源层在所述衬底上的垂直投影内，其中，所述第一有源层包括未被所述第二栅极绝缘层覆盖的部分；

所述第二栅极绝缘层对所述第一栅极的边缘处对应的所述第一有源层的坡度的区域进行覆盖。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二栅极在所述衬底上的垂直投影位于所述第一栅极在所述衬底上的垂直投影内。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二栅极绝缘层包括台阶区；所述台阶区在所述衬底所在平面的垂直投影与所述第二栅极在所述衬底所在平面的垂直投影不交叠。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，在垂直于所述衬底的方向上，所述台阶区的厚度为H1，其中，500nm＜ H1＜700 nm。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一栅极在所述衬底上的垂直投影位于所述第二栅极在所述衬底上的垂直投影内。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括：屏蔽层；

所述屏蔽层位于所述第一栅极背离所述第一栅极绝缘层的一侧；

所述第二栅极在所述衬底上的垂直投影位于所述屏蔽层在所述衬底上的垂直投影内。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源层的材料包括铟镓锌氧化物材料。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，

还包括至少一个第二薄膜晶体管；所述第二薄膜晶体管包括第二有源层；所述第二有源层位于所述第一栅极背离所述第一栅极绝缘层的一侧；所述第二有源层的材料包括低温多晶硅材料。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括：屏蔽层；

所述屏蔽层位于所述第一栅极背离所述第一栅极绝缘层的一侧；

所述第二有源层和所述屏蔽层采用同种材料和同种工艺制备；

其中，所述屏蔽层与所述第一栅极电连接。

10.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括：屏蔽层；

所述屏蔽层位于所述第一栅极背离所述第一栅极绝缘层的一侧；

所述第二薄膜晶体管还包括第三栅极；所述第三栅极位于所述第一栅极背离所述第一栅极绝缘层的一侧；

所述第三栅极和所述屏蔽层采用同种材料和同种工艺制备；

其中，所述屏蔽层与所述第一栅极电连接。

11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，还包括至少一个电容，所述电容包括第一电极和第二电极；

所述第三栅极和所述第一电极采用同种材料和同种工艺制备；

所述第一栅极和所述第二电极采用同种材料和同种工艺制备。

12.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-11中任一项所述的阵列基板。