[发明专利]一种电路板结构的制作方法

权利要求书

1.一种电路板结构的制作方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

S101：提供包含低介电常数材料层的电路板基材；

S102：将包含低介电常数材料层的电路板基材进行钻孔，以形成贯穿低介电常数材料层的孔洞；

S103：将电路板基材放置于符合高真空条件的电浆处理腔室中；

S104：供应电浆处理气体至电浆处理腔室中，电浆处理气体包括CF₄、O₂和N₂；

S105：为电浆处理腔室内的电极板施加5000～9000W的RF源功率后，相邻电极板之间形成电磁场，以促使气体电离形成电浆；

S106：利用电浆清洗电路板基材的孔洞，孔洞的清洗温度为70°～90℃，孔洞的清洗时间为25～75分钟。

2.如权利要求1所述的电路板结构的制作方法，其特征在于：S105中所述RF源功率为8000W。

3.如权利要求1所述的电路板结构的制作方法，其特征在于：S106中所述孔洞的清洗温度为80℃或约85℃。

4.如权利要求1所述的电路板结构的制作方法，其特征在于：S106中所述孔洞的清洗时间为30分钟、35分钟、40分钟、50分钟或65分钟。

5.如权利要求1所述的电路板结构的制作方法，其特征在于，S104的具体过程包括：

S1041：供应N₂和O₂，N₂和O₂以在1:0.5～30之间的体积流量比例而供应；

S1042：供应CF₄、N₂、O₂，CF₄和O₂以在1:0.5～10之间的体积流量比例而供应；CF4和N2以在1:0.25～0.5之间的体积流量比例而供应；

S1043：供应O₂，O₂的体积总流量与S1041中的体积总流量的比例在约0.8～1.2之间；

S1044：供应N₂及O₂，N₂及O₂以在约1:0.5～1:30之间的体积流量比例而供应。

6.如权利要求5所述的电路板结构的制作方法，其特征在于，S1044之后还包括以下步骤：

S1045：供应N₂、以及Ar及H₂的混合气体，N₂和所述混合气体以在1:0.5～5之间的体积流量比例而供应。

7.如权利要求1所述的电路板结构的制作方法，其特征在于：S103中所述高真空条件对应的真空度为0.15～0.25Torr。

8.如权利要求1至7任一项所述的电路板结构的制作方法，其特征在于：S101中所述电路板基材包括从上至下依次设置的上板面(11)、多层板(1)、以及下板面(12)；多层板(1)包括由上至下依序堆叠的多个层板，每个层板由至少一块铜箔基板通过内层线路蚀刻制成；相邻层板之间设置有绝缘层，其中至少一层绝缘层为低介电常数材料层。

9.如权利要求8所述的电路板结构的制作方法，其特征在于，S102中所述孔洞包括：贯穿上板面(11)、多层板(1)和下板面(12)的通孔(13)；以及贯穿至少一层低介电常数材料层、但未贯穿电路板基材的层孔(14)。