[发明专利]一种光发射装置有效
申请号: | 202010235140.2 | 申请日: | 2020-03-30 |
公开(公告)号: | CN111416269B | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 宋小平;宁静;刘成刚;肖清明 | 申请(专利权)人: | 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司;武汉光迅科技股份有限公司 |
主分类号: | H01S3/067 | 分类号: | H01S3/067;H05K1/18 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 崔晓岚;张颖玲 |
地址: | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发射 装置 | ||
本申请实施例公开了一种光发射装置,包括:光发射组件、封装结构和印刷电路板;其中,所述光发射组件设置在所述封装结构内部;所述封装结构包括一陶瓷部分;所述陶瓷部分与所述印刷电路板之间通过植球焊接或通过涂覆焊料层进行焊接,以使所述光发射组件通过所述陶瓷部分与所述印刷电路板电连接。
技术领域
本申请涉及光通信技术领域,尤其涉及一种光发射装置。
背景技术
随着云计算和企业数据中心的快速发展,对100G、200G、400G等高速率光器件、光模块的需求逐渐增加。在有限尺寸空间的光模块中集成更多、更高速率的光器件的需求也越来越迫切。现有的光模块中的光器件与印刷电路板(Printed Circuit Board,PCB)间通过管脚或软板连接。随着光器件速率、光器件集成度的提升,需要的连接焊盘数目不断增加,焊盘间的间距不断减小,而采用管脚或软板连接,对光模块的尺寸和可靠性造成了很大的限制。
发明内容
有鉴于此,本申请实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种光发射装置。
为达到上述目的,本申请实施例的技术方案是这样实现的:
本申请实施例提供一种光发射装置,包括:光发射组件、封装结构和印刷电路板PCB;其中,
所述光发射组件设置在所述封装结构内部;
所述封装结构包括一陶瓷部分;所述陶瓷部分与所述印刷电路板之间通过植球焊接或通过涂覆焊料层进行焊接,以使所述光发射组件通过所述陶瓷部分与所述印刷电路板电连接。
在一种可选的实施方式中,所述陶瓷部分与所述印刷电路板之间通过植球焊接,所述植球焊接具体为球栅阵列(Ball Grid Array,BGA)焊接。
在一种可选的实施方式中,所述植球焊接的焊球或所述焊料层与所述陶瓷部分、所述印刷电路板焊接的温度范围为150℃-260℃。
在一种可选的实施方式中,所述陶瓷部分与所述印刷电路板之间通过植球焊接,所述植球焊接的焊球包括锡银铜焊球、锡银焊球、铟银焊球或锡铋银焊球。
在一种可选的实施方式中,所述陶瓷部分与所述印刷电路板之间通过植球焊接,所述植球焊接的焊球的直径范围为50μm-150μm。
在一种可选的实施方式中,所述陶瓷部分与所述印刷电路板之间通过涂覆焊料层进行焊接,所述焊料层的厚度范围为50μm-150μm。
在一种可选的实施方式中,所述陶瓷部分上设有金属化焊盘,所述植球焊接的焊球或所述焊料层形成在所述金属化焊盘上;
其中,所述金属化焊盘呈C型分布或L型分布。
在一种可选的实施方式中,所述陶瓷部分包括单层低温共烧陶瓷或多层低温共烧陶瓷。
在一种可选的实施方式中,所述光发射组件包括:过渡热沉;其中,
所述过渡热沉为多层陶瓷结构,所述过渡热沉至少包括射频传输线层、接地线层、直流信号线层和贴装层。
在一种可选的实施方式中,所述直流信号线层的直流信号通过过孔与所述过渡热沉表面的直流信号焊盘连接;和/或,
所述射频传输线层的射频信号通过过孔与所述过渡热沉表面的射频信号焊盘连接。
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