[发明专利]一种光发射装置有效
| 申请号： | 202010235140.2 | 申请日： | 2020-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN111416269B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 宋小平;宁静;刘成刚;肖清明 | 申请（专利权）人： | 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司;武汉光迅科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/067 | 分类号： | H01S3/067;H05K1/18 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 崔晓岚;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发射 装置 | ||
1.一种光发射装置，其特征在于，包括：光发射组件、封装结构和印刷电路板；其中，
所述光发射组件设置在所述封装结构内部；
所述封装结构包括一陶瓷部分；所述陶瓷部分与所述印刷电路板之间通过植球焊接或通过涂覆焊料层进行焊接，以使所述光发射组件通过所述陶瓷部分与所述印刷电路板电连接；
所述植球焊接的焊球或所述焊料层与所述陶瓷部分、所述印刷电路板焊接的温度范围为150℃-260℃；
所述光发射组件包括：过渡热沉；其中，所述过渡热沉为多层陶瓷结构，所述过渡热沉至少包括射频传输线层、接地线层、直流信号线层和贴装层；
所述直流信号线层设置在所述多层陶瓷结构的第二层或第三层。
2.根据权利要求1所述的光发射装置，其特征在于，所述陶瓷部分与所述印刷电路板之间通过植球焊接，
所述植球焊接具体为球栅阵列焊接。
3.根据权利要求1所述的光发射装置，其特征在于，所述陶瓷部分与所述印刷电路板之间通过植球焊接，
所述植球焊接的焊球包括锡银铜焊球、锡银焊球、铟银焊球或锡铋银焊球。
4.根据权利要求1所述的光发射装置，其特征在于，所述陶瓷部分与所述印刷电路板之间通过植球焊接，
所述植球焊接的焊球的直径范围为50μm-150μm。
5.根据权利要求1所述的光发射装置，其特征在于，所述陶瓷部分与所述印刷电路板之间通过涂覆焊料层进行焊接，
所述焊料层的厚度范围为50μm-150μm。
6.根据权利要求1所述的光发射装置，其特征在于，
所述陶瓷部分上设有金属化焊盘，所述植球焊接的焊球或所述焊料层形成在所述金属化焊盘上；
其中，所述金属化焊盘呈C型分布或L型分布。
7.根据权利要求1所述的光发射装置，其特征在于，
所述陶瓷部分包括单层低温共烧陶瓷或多层低温共烧陶瓷。
8.根据权利要求1所述的光发射装置，其特征在于，
所述直流信号线层的直流信号通过过孔与所述过渡热沉表面的直流信号焊盘连接；和/或，
所述射频传输线层的射频信号通过过孔与所述过渡热沉表面的射频信号焊盘连接。
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