[发明专利]一种显示面板的制备方法、显示面板在审
申请号: | 202010229682.9 | 申请日: | 2020-03-27 |
公开(公告)号: | CN111370429A | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 聂晓辉 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 制备 方法 | ||
本发明涉及一种显示面板的制备方法、显示面板,通过曝光、蚀刻工艺在所述缓冲层上设置沟槽,将所述缓冲层分隔成相互独立的单元,使得缓冲层之上的栅极绝缘层、介电层以及钝化层由连续成膜转换为在相互独立的缓冲层上成膜,从而减小栅极绝缘层、介电层以及钝化层的薄膜面积,从而减小独立单元内积累的异质界面应力,以有效防止玻璃基板产生形变,保护玻璃基板,减少破片现象,提高制程可靠性和良品率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板的制备方法、显示面板。
背景技术
显示装置可以把计算机的数据变换成各种文字、数字、符号或直观的图像显示出来,并且可以利用键盘等输入工具把命令或数据输入计算机,借助系统的硬件和软件随时增添、删改、变换显示内容。显示装置根据所用之显示器件分为等离子、液晶、发光二极管和阴极射线管等类型。
LTPS-TFT(英文全称:Low Temperature Poly-Si Thin Film Transistor,低温多晶硅薄膜晶体管)具有载流子迁移率高,器件尺寸小等突出优点,是发展低功耗、高集成度显示面板的关键技术。LTPS显示面板的结构类似三明治模型,由不同功能的膜层叠加而成。组成这些膜层的材料按照成分不同可以分为无机材料,包括SiNx,SiOx,Poly-Si;金属材料包括Mo,Ti/Al/Ti合金,Mo/Al/Mo合金以及高分子聚合物。
由于显示面板的制备过程中涉及高温制程,不同材料的的晶格常数不一样、热膨胀系数也不一样,因此在高温制程后,不同材料制成的膜层热胀冷缩的尺度存在差异,产生水平方向和垂直方向的应力积累,进而导致玻璃基板翘曲变形,产生玻璃基板破片现象。异质界面应力与薄膜厚度和薄膜面积有关,薄膜厚度越大,薄膜面积越大,异质界面应力越大,玻璃基板翘曲变形的程度越大,玻璃基板产生破片的风险越高。
多个显示面板共光罩设计是降低开发成本,提高玻璃基板利用率的有效举措。多个显示面板混合排列在同一张玻璃基板上,相邻两个显示面板之间的连接区的薄膜沉积后,不同膜层材料的热膨胀系数不同,在高温制程后,不同膜层间存在较大的异质界面应力,导致玻璃基板产生形变甚至破片,制程可靠性大幅降低。因此,需要寻求一种新型的显示面板的制备方法以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种显示面板的制备方法、显示面板,其能够解决现有的显示面板的制备方法中存在的相邻两个显示面板之间的连接区的膜层之间的异质界面间的应力导致玻璃基板容易产生形变或破片,导致制程可靠性低、良品率低等问题。
为了解决上述问题,第一方面,本发明提供了一种显示面板的制备方法,其包括:提供一玻璃基板,将所述玻璃基板区分为至少两个显示面板区域以及相邻两个显示面板区域之间的连接区域;在所述玻璃基板上制备一缓冲层;在所述连接区域的缓冲层上设置至少一沟槽;以及在所述缓冲层上制备至少一膜层,且延伸至所述沟槽内。
进一步的,在所述玻璃基板上制备一缓冲层的步骤之前,还包括在所述玻璃基板上制备一金属遮光层的步骤;所述缓冲层设于所述玻璃基板及金属遮光层上。
进一步的,在所述缓冲层上制备至少一膜层的步骤,具体包括:在所述缓冲层上表面制备栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上表面制备介电层;以及在所述介电层上表面制备钝化层。
进一步的,在所述缓冲层上表面制备栅极绝缘层的步骤之前,还包括在所述缓冲层上制备多晶硅层的步骤;以及在所述缓冲层上表面制备栅极绝缘层的步骤之后,还包括在所述栅极绝缘层上制备栅电极层的步骤。
进一步的,在所述栅极绝缘层上表面制备介电层的步骤之后,还包括在所述介电层上制备源漏极层及公共电极层的步骤。
进一步的,在所述介电层上表面制备钝化层的步骤之后,还包括在所述钝化层上制备像素电极层的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010229682.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的