[发明专利]一种显示面板的制备方法、显示面板在审
| 申请号: | 202010229682.9 | 申请日: | 2020-03-27 |
| 公开(公告)号: | CN111370429A | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
| 发明(设计)人: | 聂晓辉 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 制备 方法 | ||
1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
提供一玻璃基板,将所述玻璃基板区分为至少两个显示面板区域以及相邻两个显示面板区域之间的连接区域;
在所述玻璃基板上制备一缓冲层;
在所述连接区域的缓冲层上设置至少一沟槽;以及
在所述缓冲层上制备至少一膜层,且延伸至所述沟槽内。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
在所述玻璃基板上制备一缓冲层的步骤之前,还包括
在所述玻璃基板上制备一金属遮光层的步骤;
所述缓冲层设于所述玻璃基板及金属遮光层上。
3.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
在所述缓冲层上制备至少一膜层的步骤,具体包括:
在所述缓冲层上表面制备栅极绝缘层;
在所述栅极绝缘层上表面制备介电层;以及
在所述介电层上表面制备钝化层。
4.根据权利要求3所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
在所述缓冲层上表面制备栅极绝缘层的步骤之前,还包括
在所述缓冲层上制备多晶硅层的步骤;以及
在所述缓冲层上表面制备栅极绝缘层的步骤之后,还包括
在所述栅极绝缘层上制备栅电极层的步骤。
5.根据权利要求3所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
在所述栅极绝缘层上表面制备介电层的步骤之后,还包括
在所述介电层上制备源漏极层及公共电极层的步骤。
6.根据权利要求3所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
在所述介电层上表面制备钝化层的步骤之后,还包括
在所述钝化层上制备像素电极层的步骤。
7.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
在所述缓冲层上制备至少一膜层的步骤之后,还包括
采用曝光、蚀刻工艺去除所述钝化层以及所述介电层与所述沟槽相对的部分,形成贯穿所述钝化层以及所述介电层的开口区。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
所述开口区的深度范围为0.8-1.1μm;和/或,
所述开口区的宽度范围为1.5-2.5μm。
9.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述沟槽的纵向截面的形状为矩形或梯形。
10.如权利要求1-9中任一项所述的制备方法制备成的一种显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





