[发明专利]太阳能电池单元的制造方法以及切割用太阳能电池单元

说明书

提供一种抑制切割导致的发电输出降低的太阳能电池单元的制造方法以及切割用太阳能电池单元。在用于制造太阳能电池单元(10)的方法中，在n型半导体基板(100)的第一面(102)形成有槽部(150)。在形成有槽部(150)的n型半导体基板(100)的第一面(102)形成有p侧透明导电膜层(114)。在被形成于n型半导体基板(100)的第一面(102)的槽部(150)的侧面(154)的至少一部分，形成有p侧透明导电膜层(114)的未成膜区域(160)。

技术领域

本公开涉及太阳能电池单元的制造技术，尤其是用于从可切割的切割用太阳能电池单元制造太阳能电池单元的太阳能电池单元的制造方法以及切割用太阳能电池单元。

背景技术

为了防止太阳能电池单元中短路的发生，在成膜半导体层和透明电极层后形成绝缘区域(例如，参照专利文献1)。

[现有技术文献]

[专利文献]

专利文献1：日本特开2014-239085号公报

发明内容

[发明要解决的技术问题]

通过切割切割用太阳能电池单元，得到多个太阳能电池单元。这时，因在被切割的部分产生的损坏的影响，发电输出降低。

本公开是鉴于这样的状况而得到的，其目的在于提供抑制切割导致的发电输出降低的技术。

[用于解决技术问题的方法]

为了解决上述课题，本公开的一方式的太阳能电池单元的制造方法包括在半导体基板的表面形成槽部的步骤和在已形成槽部的半导体基板的表面形成透明导电膜层的步骤。在槽部的侧面的至少一部分，形成有透明导电膜层的未成膜区域。

本公开的其他方式为切割用太阳能电池单元。该切割用太阳能电池单元包括：半导体基板，被配置在半导体基板的表面的槽部，被至少配置在半导体基板的表面和槽部的底面的非晶质半导体层，在半导体基板的表面和槽部的底面，被重叠配置在非晶质半导体层的透明导电膜层。在槽部的侧面的至少一部分，配置有透明导电膜层的未成膜区域。

[发明效果]

根据本公开，能够抑制切割导致的发电输出降低。

附图说明

图1是表示实施例的切割用太阳能电池单元的结构的俯视图。

图2的(a)－(f)是表示图1的切割用太阳能电池单元的制造方法的图。

图3的(a)－(c)是表示图1的太阳能电池单元的制造方法的图。

图4的(a)－(c)是表示包括图1的太阳能电池单元的太阳能电池模块的结构的图。

具体实施方式

在具体说明本公开之前，叙述概要。本实施例涉及将一个太阳能电池单元切割为多个的技术。在此，将切割前的一个太阳能电池单元称为“切割用太阳能电池单元”，将切割后的多个太阳能电池单元的每个称为“太阳能电池单元”。至此，在通过激光烧蚀或者机械划线切开切口而形成的加工槽中切割具有晶体硅、非晶硅层、TCO(透明电极层)的切割用太阳能电池单元。但是，相比于晶体硅及非晶硅层，载体在TCO中更容易移动，所以在切割切割用太阳能电池单元后因在切割部分的损坏的影响，发电的输出降低。

另一方面，用掩模等形成TCO的未成膜区域时，抑制载体向受到损坏的切割部分的移动，抑制发电输出降低。但是，为了形成TCO的未成膜区域，需要在TCO的成膜时形成掩模，或者在成膜后执行基于蚀刻膏或激光的除去。在使用掩模的情况下，无法缩小掩模宽度，未成膜区域变大从而有效发电面积减少，发电的输出降低。另一方面，激光或蚀刻膏因热或药剂的影响而对晶体硅、非晶硅层施加损坏，发电的输出降低。