[发明专利]太阳能电池单元的制造方法以及切割用太阳能电池单元

权利要求书

1.一种太阳能电池单元的制造方法，包括：

在半导体基板的表面形成槽部的步骤，以及

在形成有所述槽部的所述半导体基板的所述表面形成透明导电膜层的步骤；

在所述槽部的侧面的至少一部分，形成有所述透明导电膜层的未成膜区域。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池单元的制造方法，

在所述槽部的底面也形成有所述透明导电膜层。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池单元的制造方法，

在形成所述透明导电膜层的步骤之前，进一步包括在已形成所述槽部的所述半导体基板的所述表面形成非晶质半导体层的步骤，

在所述槽部的底面也形成有所述非晶质半导体层。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池单元的制造方法，

在所述槽部的侧面的至少一部分也形成有所述非晶质半导体层。

5.根据权利要求3或4所述的太阳能电池单元的制造方法，

在形成所述非晶质半导体层的步骤之前，还包括在所述半导体基板的所述表面和所述槽部形成纹理的步骤。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的太阳能电池单元的制造方法，还包括：

在所述槽部的底面形成切割槽的步骤；以及

沿着所述切割槽切割的步骤。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的太阳能电池单元的制造方法，还包括：

所述表面为第一面，在所述半导体基板的与所述第一面朝向相反的第二面形成切割槽的步骤；以及

沿着所述切割槽进行切割的步骤。

8.一种切割用太阳能电池单元，包括：

半导体基板，

被配置在所述半导体基板的表面的槽部，

被至少配置在所述半导体基板的表面和所述槽部的底面的非晶质半导体层，

在所述半导体基板的表面和所述槽部的底面，被重叠配置在所述非晶质半导体层的透明导电膜层；

在所述槽部的侧面的至少一部分，配置所述透明导电膜层的未成膜区域。

9.根据权利要求8所述的切割用太阳能电池单元，

在所述槽部的侧面的至少一部分也配置所述非晶质半导体层。

10.根据权利要求8或9所述的切割用太阳能电池单元，

所述半导体基板在所述槽部的底面具有纹理构造。