[发明专利]功率半导体模块及其制造方法

说明书

一种功率半导体模块包括：布置于第一和第二衬底之间并且电耦合到第一和第二衬底的功率半导体芯片；以及温度传感器，其布置于第一和第二衬底之间并且横向地布置在功率半导体芯片旁边，使得温度传感器的第一侧面向第一衬底，并且温度传感器的第二侧面向第二衬底，其中温度传感器的第一电接触部布置于第一侧上并且电耦合到第一衬底，并且其中温度传感器的第二电接触部布置于第二侧上并且电耦合到第二衬底。

技术领域

本公开总体上涉及功率半导体模块及用于制造功率半导体模块的方法。

背景技术

功率半导体模块被用于各种应用中，例如汽车行业中。可能希望在宽温度范围中以低功率裕度操作功率半导体模块。还可能希望测量功率半导体模块中包括的功率芯片的结温度，例如以提高操作效率。然而，将温度传感器添加到功率半导体模块可能会使电气布线复杂化，并且可能增大功率半导体模块中的杂散电感。将温度传感器放置在功率半导体模块的周边可以减少这些问题，但可能导致不正确的或慢的温度读数。针对功率半导体模块的新概念和用于制造功率半导体模块的新方法可以有助于克服这些问题。

通过独立权利要求的特征解决本发明所基于的问题。在从属权利要求中描述了其他有利的示例。

发明内容

各方面涉及一种功率半导体模块，包括：布置于第一和第二衬底之间并且电耦合到第一和第二衬底的功率半导体芯片；以及温度传感器，其布置于第一和第二衬底之间并且横向地布置在功率半导体芯片旁边，使得温度传感器的第一侧面向第一衬底，并且温度传感器的第二侧面向第二衬底，其中温度传感器的第一电接触部布置于第一侧上并且电耦合到第一衬底，并且其中温度传感器的第二电接触部布置于第二侧上并且电耦合到第二衬底。

各方面涉及一种功率半导体模块，包括：布置于第一和第二衬底之间并且电耦合到第一和第二衬底的功率半导体芯片；以及温度传感器，其布置于功率半导体芯片和第二衬底之间，使得温度传感器的第一侧面向功率半导体芯片，并且温度传感器的第二侧面向第二衬底，其中温度传感器的第一和第二电接触部布置于第二侧上并且电耦合到第二衬底。

各方面涉及一种用于制造功率半导体模块的方法，该方法包括：在第一和第二衬底之间布置功率半导体芯片，并且将功率半导体芯片电耦合到第一和第二衬底，以及在第一和第二衬底之间并且横向地在功率半导体芯片旁边布置温度传感器，使得温度传感器的第一侧面向第一衬底，并且温度传感器的第二侧面向第二衬底，其中温度传感器的第一电接触部布置于第一侧上并且电耦合到第一衬底，并且其中温度传感器的第二电接触部布置于第二侧上并且电耦合到第二衬底。

各方面涉及一种用于制造功率半导体模块的方法，该方法包括：在第一和第二衬底之间布置功率半导体芯片，并且将功率半导体芯片电耦合到第一和第二衬底，以及在功率半导体芯片和第二衬底之间布置温度传感器，使得温度传感器的第一侧面向功率半导体芯片，并且温度传感器的第二侧面向第二衬底，其中温度传感器的第一和第二电接触部布置于第二侧上并且电耦合到第二衬底。

附图说明

附图示出了示例，并且连同说明书一起用以解释本公开的原理。本公开的其他示例和很多期望的优点将容易理解，因为它们通过参考下面的具体实施方式而变得更好理解。附图的元件未必相对于彼此成比例。类似附图标记指示对应的类似部分。

图1示出了第一功率半导体模块的侧视图，其中温度传感器横向地布置于功率半导体芯片旁边。

图2示出了第二功率半导体模块的侧视图，其中温度传感器横向地布置于功率半导体芯片旁边并且在两个散热器之间。

图3示出了第三功率半导体模块的侧视图，其中温度传感器布置于功率半导体芯片的顶部上。

图4示出了第四功率半导体模块的侧视图，其中温度传感器布置于功率半导体芯片上方的绝缘层的顶部上。

图5示出了用于制造功率半导体模块的方法的流程图。