[发明专利]半导体器件的双钝化层结构及其制备方法

说明书

本发明提供了一种半导体器件的双钝化层结构的制备工艺，包括如下步骤：提供半导体基板，所述半导体基板包括基板以及设置在所述基板上的金属阵列；在所述半导体基板的金属阵列所在的表面制备第一钝化层；在所述第一钝化层背离所述半导体基板的一侧表面沉积聚合物，制备第二钝化层；对所述第二钝化层覆盖所述金属阵列的区域进行光刻处理，得到间隔设置的第二钝化层，所述间隔设置的第二钝化层设置在所述金属阵列之间；对所述第一钝化层覆盖所述金属阵列的区域进行刻蚀处理，得到间隔设置的双钝化层结构，所述间隔设置的双钝化层结构设置在所述金属阵列之间，其中，未设置双钝化层结构的区域形成压焊窗口。本工艺简单，时间短，成本低。

技术领域

本发明涉及半导体工艺流程领域，尤其涉及一种半导体器件的双钝化层结构及其制备方法。

背景技术

随着LED照明驱动IC的持续更新换代，产品性能价格比要求越来越高。这就要求芯片设计工艺也要持续更新，保证与之相匹配。其中，工艺流程要求设计恰当，为了节约成本，保证达到效果的同时，工艺流程要求尽量简化。

近年来，对于小功率LED Drive IC产品，已经是将超高压LDMOS器件集成在了Driver IC芯片之上，这需要用到BCD工艺，BCD工艺是指把双极器件和CMOS器件同时制作在同一芯片上，该工艺综合了双极器件高跨导、强负载驱动能力和CMOS集成度高、低功耗的优点，使其互相取长补短，发挥各自的优点。更为重要的，集成了DMOS功率器件，DMOS可以在开关模式下工作，功耗极低。不需要昂贵的封装和冷却系统就可以将大功率传递给负载。然而，BCD工艺对工艺流程的技术要求都提出了巨大的挑战。

其中，挑战主要体现在：一是UHVLDMOS的击穿电压很高，通常在700V以上，要求器件结构击穿特性好；二是UHVLDMOS的可靠性要求也比较高。基于以上两点，BCD的制备工艺均需要采用两层钝化层来实现器件的表面保护。目前，所述双层钝化保护结构的半导体工艺实现方法，是需要进行两次光刻工艺，所述两次光刻工艺包括如下步骤：将第一层钝化层依次进行沉积、光刻、刻蚀、去光阻；再将第二层钝化层依次进行沉积、光刻、刻蚀、去光阻，经过两次光刻处理，保证压焊窗口被刻开，该工艺流程复杂，工艺时间较长，影响了工艺的过程。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件的双钝化层结构及其制备方法，旨在解决现有技术中半导体器件的双钝化层结构制备工艺流程复杂、耗费时间长的问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

一种半导体器件的双钝化层结构的制备工艺，包括如下步骤：

提供半导体基板，所述半导体基板包括基板以及设置在所述基板上的金属阵列；在所述半导体基板的金属阵列所在的表面制备第一钝化层；

在所述第一钝化层背离所述半导体基板的一侧表面沉积聚合物，制备第二钝化层；

对所述第二钝化层覆盖所述金属阵列的区域进行光刻处理，得到间隔设置的第二钝化层，所述间隔设置的第二钝化层设置在所述金属阵列之间；

对所述第一钝化层覆盖所述金属阵列的区域进行刻蚀处理，得到间隔设置的双钝化层结构，所述间隔设置的双钝化层结构设置在所述金属阵列之间，其中，未设置双钝化层结构的区域形成压焊窗口。

以及，一种半导体器件结构，所述半导体器件结构包括半导体基板以及设置在所述半导体基板上的双钝化层，其中，所述半导体基板包括一基底以及设置在所述基板上的金属阵列；所述双钝化层包括设置在所述金属阵列之间，所述双钝化层包括依次设置在所述半导体基板上的第一钝化层和第二钝化层；且未设置双钝化层结构的区域形成压焊窗口。