[发明专利]半导体器件的双钝化层结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的双钝化层结构的制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：

提供半导体基板，所述半导体基板包括基板以及设置在所述基板上的金属阵列；在所述半导体基板的金属阵列所在的表面制备第一钝化层；

在所述第一钝化层背离所述半导体基板的一侧表面沉积聚合物，制备第二钝化层；

对所述第二钝化层覆盖所述金属阵列的区域进行光刻处理，得到间隔设置的第二钝化层，所述间隔设置的第二钝化层设置在所述金属阵列之间；

对所述第一钝化层覆盖所述金属阵列的区域进行刻蚀处理，得到间隔设置的双钝化层结构，所述间隔设置的双钝化层结构设置在所述金属阵列之间，其中，未设置双钝化层结构的区域形成压焊窗口。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的双钝化层结构的制备工艺，其特征在于，对所述第二钝化层覆盖所述金属阵列的区域进行光刻处理的步骤中，所述光刻处理包括如下步骤：

对所述第二钝化层进行光刻胶涂布、曝光处理；

对经曝光处理后的第二钝化层依次进行显影处理、光刻胶剥离处理以及第二钝化层固化处理，得到间隔设置的第二钝化层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的双钝化层结构的制备工艺，其特征在于，对所述第二钝化层进行曝光处理的步骤中，以氟化氪作为光源，设置数值孔径0.6～0.7nm、焦深距离0.7～0.8μm、套刻精度65～70nm；控制分辨率为0.18～0.5μm，结合相移掩膜板技术进行曝光处理。

4.根据权利要求2所述的半导体器件的双钝化层结构的制备工艺，其特征在于，所述固化处理的步骤中，所述固化处理的温度为350～380℃，所述固化处理的时间为2～2.5小时。

5.根据权利要求1～4任一所述的半导体器件的双钝化层结构的制备工艺，其特征在于，所述第一钝化层的材料选自SiO₂、Si₃N₄、SiON的任意一种或几种。

6.根据权利要求1～4任一所述的半导体器件的双钝化层结构的制备工艺，其特征在于，所述聚合物选自聚酰亚胺或聚对苯撑苯并二噁唑纤维。

7.根据权利要求1～4任一所述的半导体器件的双钝化层结构的制备工艺，其特征在于，所述压焊窗口为正方形压焊窗口或圆形压焊窗口。

8.一种半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构包括半导体基板以及设置在所述半导体基板上的双钝化层，其中，所述半导体基板包括一基底以及设置在所述基板上的金属阵列；所述双钝化层包括设置在所述金属阵列之间，所述双钝化层包括依次设置在所述半导体基板上的第一钝化层和第二钝化层；且未设置双钝化层结构的区域形成压焊窗口。

9.根据权利要求8所述的一种半导体器件结构，其特征在于，所述第一钝化层的厚度为1～1.5μm；和/或，

所述第二钝化层的厚度为5～8μm。

10.根据权利要求8所述的一种半导体器件结构，其特征在于，所述压焊窗口的面积为所述金属阵列的金属材料的面积的70％～93％。