[发明专利]磁性体检测传感器在审

专利信息
申请号: 202010222311.8 申请日: 2020-03-26
公开(公告)号: CN111751768A 公开(公告)日: 2020-10-09
发明(设计)人: 上村紘崇 申请(专利权)人: 艾普凌科有限公司
主分类号: G01R33/12 分类号: G01R33/12
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 邓毅;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 磁性 体检 传感器
【说明书】:

提供磁性体检测传感器,本发明的磁性体检测传感器具有:支承基板(101);具有厚度的磁体(102),其在支承基板(101)的一个或另一个主面上配置成磁化方向与主面平行;以及半导体芯片,其配置在支承基板(101)的一个或另一个主面侧,具有检测特定方向(D)的磁场成分的磁场检测元件(103),磁场检测元件(103)配置在第一空间(S1)、第二空间(S2)以及第三空间(S3)之外,该第一空间(S1)在磁化方向上与磁体(102)相邻,具有所述厚度,该第二空间(S2)在与磁化方向垂直的方向上与磁体(102)相邻,该第三空间(S3)从第一空间(S1)沿着与特定方向(D)垂直的方向延伸。

技术领域

本发明涉及磁性体检测传感器。

背景技术

以往,提出了通过将磁场检测元件与永磁体组合起来的构造来检测磁性体的存在的磁性体检测传感器(例如,专利文献1和2)。作为被检测体的磁性体,列举了永久磁化小且导磁率大的钢等金属材料、含有磁性体粒子的磁性涂料等。磁性体检测传感器用于齿轮的旋转检测、磁性涂料的图案检测等。与检测永磁体的接近的通常的磁传感器相比,磁性体检测传感器不需要使被检测体磁化,因此能够容易地实现非接触的接近检测。

专利文献1:美国专利第8089276号说明书

专利文献2:美国专利第9647144号说明书

在专利文献1和2中,公开了永磁体和作为感磁部的磁场检测元件在大致同一平面上相邻配置的构造。磁场检测元件构成为对于永磁体的磁化方向、检测特定方向的磁场成分。特定方向在专利文献1中是平行方向,在专利文献2中是垂直方向。磁场检测元件的输出与该磁场成分的大小成比例地变化。在这样的构造中,由于永磁体与磁场检测元件的相对位置的微小偏差,由磁场检测元件检测的磁场成分的大小会大幅地变化,不存在作为被检测体的磁性体的情况下的磁性体检测传感器的输出的偏差即偏置(offset)会产生较大的偏差,因此难以高精度地检测磁性体。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的,其目的在于,提供如下的磁性体检测传感器:能够抑制由于与作为被检测体的磁性体的相对位置的变化而引起的偏置的偏差,能够高精度地进行磁性体的检测。

为了解决上述课题,本发明采用了以下的手段。

本发明的一个方式的磁性体检测传感器具有:支承基板;具有厚度的磁体,其在所述支承基板的一个或另一个主面上配置成磁化方向与所述主面平行;以及半导体芯片,其配置在所述支承基板的一个或另一个主面侧,具有检测特定方向的磁场成分的磁场检测元件,在第一空间、第二空间以及第三空间之外配置有所述磁场检测元件,该第一空间在所述磁化方向上与所述磁体相邻,具有所述厚度,该第二空间在与所述磁化方向垂直的方向上与所述磁体相邻,该第三空间从所述第一空间沿着与所述特定方向垂直的方向延伸。

根据本发明,能够提供如下的磁性体检测传感器:能够抑制由于与作为被检测体的磁性体的相对位置的变化而引起的偏置的偏差,能够高精度地进行磁性体的检测。

附图说明

图1的(a)和图1的(b)是本发明的第一实施方式的磁性体检测传感器的俯视图和剖视图。

图2是将图1的(b)的磁性体检测传感器的一部分放大的图。

图3是对本发明的磁性体检测传感器的动作进行说明的曲线图。

图4的(a)和图4的(b)是本发明的第二实施方式的磁性体检测传感器的俯视图和剖视图。

图5的(a)和图5的(b)是本发明的第三实施方式的磁性体检测传感器的俯视图和剖视图。

图6的(a)和图6的(b)是本发明的第四实施方式的磁性体检测传感器的俯视图和剖视图。

图7的(a)和图7的(b)是示出图6的磁性体检测传感器的变形例1、2的图。

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