[发明专利]存储器结构及其制造方法

说明书

本发明公开一种存储器结构及其制造方法，其中存储器结构包括基底、隔离结构、存储单元、第一晶体管、第一接触窗结构与第二接触窗结构。第一晶体管包括第一栅极结构、第一掺杂区、第二掺杂区、第一金属硅化物层与第二金属硅化物层。第一接触窗结构位于第一金属硅化物层上。第二接触窗结构位于第二金属硅化物层上。第一金属硅化物层与隔离结构互不接触。第二金属硅化物层与隔离结构互不接触。第一金属硅化物层的上视面积大于第一接触窗结构的上视面积。第二金属硅化物层的上视面积大于第二接触窗结构的上视面积。

技术领域

本发明涉及一种半导体结构及其制造方法，且特别是涉及一种存储器结构及其制造方法。

背景技术

目前常见的数据处理方式是通过位于不同芯片上的存储器与处理器来进行数据处理。然而，在进行大量数据处理时，数据在各种存储器和处理器之间来回移动需要花费许多能量和时间。

因此，逐渐发展出一种将存储器和处理器整合在同一个芯片上的存储器结构，如存储器处理器(processor in memory，PIM)或人工智能存储器(artificial intelligencememory，AIM)的新型芯片结构。然而，要将存储器和处理器有效地整合在同一个芯片上，必须要能够改善周边电路区中的晶体管效能。

发明内容

本发明提供一种存储器结构及其制造方法，其可提升周边电路区中的晶体管的效能。

本发明提出一种存储器结构，包括基底、隔离结构、存储单元、第一晶体管、第一接触窗结构与第二接触窗结构。基底包括存储单元区与周边电路区。隔离结构位于基底中。存储单元位于存储单元区中。第一晶体管位于周边电路区中。第一晶体管包括第一栅极结构、第一掺杂区、第二掺杂区、第一金属硅化物层与第二金属硅化物层。第一栅极结构位于基底上，且绝缘于基底。第一掺杂区与第二掺杂区位于第一栅极结构两侧的基底中并且邻接隔离结构。第一金属硅化物层位于第一掺杂区上。第二金属硅化物层位于第二掺杂区上。第一接触窗结构位于第一金属硅化物层上。第二接触窗结构位于第二金属硅化物层上。第一金属硅化物层与隔离结构互不接触。第二金属硅化物层与隔离结构互不接触。第一金属硅化物层的上视面积大于第一接触窗结构的上视面积。第二金属硅化物层的上视面积大于第二接触窗结构的上视面积。

本发明提出一种存储器结构的制造方法，包括以下步骤。提供基底。基底包括存储单元区与周边电路区。在基底中形成隔离结构。在存储单元区中形成存储单元。在周边电路区中形成第一晶体管。第一晶体管包括第一栅极结构、第一掺杂区、第二掺杂区、第一金属硅化物层与第二金属硅化物层。第一栅极结构位于基底上，且绝缘于基底。第一掺杂区与第二掺杂区位于第一栅极结构两侧的基底中并且邻接隔离结构。第一金属硅化物层位于第一掺杂区上。第二金属硅化物层位于第二掺杂区上。第一金属硅化物层与第二金属硅化物层的形成方法可包括以下步骤。形成覆盖第一掺杂区与第二掺杂区的第一介电层。在第一介电层中形成暴露出部分第一掺杂区的第一开口与暴露出部分第二掺杂区的第二开口。第一开口与第二开口不会暴露出隔离结构。在第一开口所暴露出的部分第一掺杂区上形成第一金属硅化物层，且在第二开口所暴露出的部分第二掺杂区上形成第二金属硅化物层。形成填入第一开口与第二开口中的第二介电层。在第二介电层中形成暴露出部分第一金属硅化物层的第三开口与暴露出部分第二金属硅化物层的第四开口。在第三开口与第四开口中分别形成第一接触窗结构与第二接触窗结构。

基于上述，在本发明所提出的存储器结构中，将第一金属硅化物层与隔离结构设计成彼此分离，且将第二金属硅化物层与隔离结构设计成彼此分离。因此，在形成第一金属硅化物层与第二金属硅化物层的制作工艺中不需暴露出隔离结构，而可防止隔离结构造成损伤，进而可避免因隔离结构损伤所产生的短路问题。此外，由于第一金属硅化物层的上视面积大于第一接触窗结构的上视面积，且第二金属硅化物层的上视面积大于第二接触窗结构的上视面积，因此第一金属硅化物层与第二金属硅化物层可具有较大的上视面积。由此，周边电路区中的第一晶体管可具有较低的电阻，且在相同驱动电压下可具有较大的开启电流(Ion)。如此一来，可提升周边电路区中的第一晶体管的效能，并提升存储器结构的电性表现。