[发明专利]存储器结构及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器结构，其特征在于，包括：

基底，包括存储单元区与周边电路区；

隔离结构，位于所述基底中；

存储单元，位于所述存储单元区中；

第一晶体管，位于所述周边电路区中，且包括：

第一栅极结构，位于所述基底上，且绝缘于所述基底；

第一掺杂区与第二掺杂区，位于所述第一栅极结构两侧的所述基底中并且邻接所述隔离结构；

第一金属硅化物层，位于所述第一掺杂区上；以及

第二金属硅化物层，位于所述第二掺杂区上；

第一接触窗结构，位于所述第一金属硅化物层上；以及

第二接触窗结构，位于所述第二金属硅化物层上，其中

所述第一金属硅化物层与所述隔离结构互不接触，且所述第二金属硅化物层与所述隔离结构互不接触，

所述第一金属硅化物层的上视面积大于所述第一接触窗结构的上视面积，且

所述第二金属硅化物层的上视面积大于所述第二接触窗结构的上视面积。

2.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述第一晶体管还包括：

间隙壁，位于所述第一栅极结构两侧；以及

蚀刻终止层，位于所述间隙壁上。

3.如权利要求2所述的存储器结构，其中所述第一金属硅化物层与所述第二金属硅化物层相邻于所述间隙壁。

4.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述第一栅极结构包括：

第一掺杂多晶硅层；

第一金属层，位于所述第一掺杂多晶硅层上；

第一硬掩模层，位于所述第一金属层上；以及

第一栅介电层，位于所述第一掺杂多晶硅层与所述基底之间。

5.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述基底还包括晶体管阵列区，且所述晶体管阵列区位于所述存储单元区与所述周边电路区之间。

6.如权利要求5所述的存储器结构，还包括：

第二晶体管，位于所述晶体管阵列区中，且包括：

第二栅极结构，位于所述基底上，且绝缘于所述基底；

第三掺杂区与第四掺杂区，位于所述第二栅极结构两侧的所述基底中；

第三金属硅化物层，位于所述第三掺杂区上；以及

第四金属硅化物层，位于所述第四掺杂区上；

第三接触窗结构，电连接至所述第三金属硅化物层；以及

第四接触窗结构，电连接至所述第四金属硅化物层。

7.如权利要求6所述的存储器结构，其中所述第三金属硅化物层的上视面积小于或等于所述第三接触窗结构的上视面积，且所述第四金属硅化物层的上视面积小于或等于所述第四接触窗结构的上视面积。

8.如权利要求6所述的存储器结构，其中所述第二栅极结构包括：

第二掺杂多晶硅层；

第二金属层，位于所述第二掺杂多晶硅层上；

第二硬掩模层，位于所述第二金属层上；以及

第二栅介电层，位于所述第二掺杂多晶硅层与所述基底之间。