[发明专利]碳化硅基CVD金刚石涂层的制备方法及碳化硅基在审
申请号: | 202010219800.8 | 申请日: | 2020-03-25 |
公开(公告)号: | CN111499410A | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 何利文;蒋梦婷;欧阳晓平 | 申请(专利权)人: | 湘潭大学 |
主分类号: | C04B41/85 | 分类号: | C04B41/85;C04B41/91;C23C16/02;C23C16/27 |
代理公司: | 深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙) 44341 | 代理人: | 何婷;田利琼 |
地址: | 411105 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 碳化硅 cvd 金刚石 涂层 制备 方法 | ||
本发明实施例涉及碳化硅陶瓷技术领域,公开了一种碳化硅基CVD金刚石涂层的制备方法及碳化硅基。方法包括:S1、基体预处理:将碳化硅基体打磨,抛光,洗涤,烘干;S2、酸处理:将预处理后的碳化硅基体置于盐酸溶液中进行超声清洗,取出后用去离子水清洗干净;S3、碱处理:将酸处理后的碳化硅基体置于氢氧化钠溶液中,加热碱煮,然后用去离子水清洗并烘干;S4、硅烷偶联剂改性:将碱处理后的碳化硅基体浸渍在硅烷偶联剂溶液中24h,后烘干;S5、涂层的制备:将改性处理后的碳化硅基体置于化学气相沉积炉中,通入H2和CH4,沉积金刚石涂层。本发明实施例可以提升碳化硅基金刚石涂层的膜基结合性能。
技术领域
本发明实施例涉及碳化硅陶瓷技术领域,具体涉及一种碳化硅基CVD金刚石涂层的制备方法及碳化硅基。
背景技术
碳化硅具有优良的力学、热学、电学等特性,被广泛应用于防弹装甲、精密轴承、热交换器部件等领域。然而,碳化硅陶瓷的塑性变形能力差,韧性低,不易加工成型。因此,碳化硅陶瓷一经制成,其显微结构就难以通过变形来得以改善,特别是其中的孔洞、微裂纹和有害物质。
化学气相沉积(Chemical Vapour Deposition,CVD)金刚石薄膜具有十分接近天然金刚石的硬度、高弹性模量、低摩擦系数、极高的热导率、良好的自润滑性和化学稳定性等优异性能,因此它是一种优异的耐磨、减摩和保护性涂层材料。在碳化硅陶瓷材料上沉积CVD金刚石薄膜不但可以填补陶瓷材料表面的缺陷,还能提高其表面硬度、降低摩擦系数、提高耐磨耐蚀性能。
良好的膜基结合性能是涂层正常工作的基础,同时涂层的使用寿命也会随着结合性能的增加而增加。如何提升碳化硅基金刚石涂层的膜基结合性能,是目前需要解决的问题。
发明内容
鉴于上述问题,本发明实施例提供了一种碳化硅基CVD金刚石涂层的制备方法及碳化硅基,可以提升碳化硅基金刚石涂层的膜基结合性能。
根据本发明实施例的一个方面,提供了一种碳化硅基CVD金刚石涂层的制备方法,所述方法包括:
S1、基体预处理:将碳化硅基体打磨,抛光,洗涤,烘干;
S2、酸处理:将预处理后的碳化硅基体置于盐酸溶液中进行超声清洗,取出后用去离子水清洗干净;
S3、碱处理:将酸处理后的碳化硅基体置于氢氧化钠溶液中,加热碱煮,然后用去离子水清洗并烘干;
S4、硅烷偶联剂改性:将碱处理后的碳化硅基体浸渍在硅烷偶联剂溶液中接枝24h,后烘干。
S5、涂层的制备:将改性处理后的碳化硅基体置于化学气相沉积炉中,通入H2和CH4,沉积金刚石涂层。
其中,步骤S1中:
所述打磨选用1500#砂纸;
所述抛光选用DSM80-100抛光机;
所述洗涤用无水乙醇超声清洗15-30min,以去除碳化硅基体上的有机物或无机物杂质;
所述烘干温度为80-120℃,时间为1-2h。
其中,步骤S2中:
所述盐酸溶液的浓度为10-30%,超声清洗时间为10-40min。
其中,步骤S2中:
所述盐酸溶液的浓度为20%,超声清洗时间为10-30min。
其中,步骤S3中:
所述氢氧化钠溶液的浓度为1-3mol/L;
所述加热碱煮温度为80℃,时间为2-4h;
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