[发明专利]半导体存储器的训练方法及相关设备

说明书

本公开关于一种半导体存储器的训练方法及相关设备。该方法包括：从多个参考电压中选取相邻的两个参考电压作为第一参考电压和第二参考电压；根据每根目标信号线在第一参考电压下的最小时延值，获得多根目标信号线在第一参考电压下的第一最小时延值；根据每根目标信号线在第二参考电压下的最小时延值，获得多根目标信号线在第二参考电压下的第二最小时延值；根据第一最小时延值和第二最小时延值，确定期望时延值所在目标区间，期望时延值为多个参考电压下多根目标信号线的最小时延值中的最大值；在目标区间内查找期望时延值，以确定期望时延值对应的参考电压作为半导体存储器的训练结果。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体存储器的训练方法、半导体存储器的训练装置、电子设备和计算机可读存储介质。

背景技术

当前的半导体存储器均需要通过训练方能满足正常工作要求，而半导体存储器训练是系统启动阶段必不可少的环节，并且半导体存储器需要训练的种类比较多，例如CATraining(Command Address Training指令地址训练)、Write Training(写训练)等。

而每种训练均需要在一定的电压范围内找出最大可工作范围的时延(margin)，训练的快慢决定了系统启动的快慢。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种半导体存储器的训练方法及装置、电子设备和计算机可读存储介质，可以减少半导体存储器的训练时间。

根据本公开的一个方面，提供一种半导体存储器的训练方法，所述半导体存储器包括多根目标信号线，每根目标信号线在目标电压参考范围内具有多个参考电压；其中，所述方法包括：从所述多个参考电压中选取相邻的两个参考电压作为第一参考电压和第二参考电压；根据每根目标信号线在所述第一参考电压下的最小时延值，获得所述多根目标信号线在所述第一参考电压下的第一最小时延值；根据每根目标信号线在所述第二参考电压下的最小时延值，获得所述多根目标信号线在所述第二参考电压下的第二最小时延值；根据所述第一最小时延值和所述第二最小时延值，确定期望时延值所在目标区间，所述期望时延值为所述多个参考电压下所述多根目标信号线的最小时延值中的最大值；在所述目标区间内查找所述期望时延值，以确定所述期望时延值对应的参考电压作为所述半导体存储器的训练结果。

根据本公开的一个方面，提供一种半导体存储器的训练装置，所述半导体存储器包括多根目标信号线，每根目标信号线在目标电压参考范围内具有多个参考电压；其中，所述装置包括：参考电压选取单元，用于从所述多个参考电压中选取相邻的两个参考电压作为第一参考电压和第二参考电压；第一时延获得单元，用于根据每根目标信号线在所述第一参考电压下的最小时延值，获得所述多根目标信号线在所述第一参考电压下的第一最小时延值；第二时延获得单元，用于根据每根目标信号线在所述第二参考电压下的最小时延值，获得所述多根目标信号线在所述第二参考电压下的第二最小时延值；目标区间确定单元，用于根据所述第一最小时延值和所述第二最小时延值，确定期望时延值所在目标区间，所述期望时延值为所述多个参考电压下所述多根目标信号线的最小时延值中的最大时延值；期望时延查找单元，用于在所述目标区间内查找所述期望时延值，以确定所述期望时延值对应的参考电压作为所述半导体存储器的训练结果。

根据本公开的一个方面，提供一种电子设备，包括：一个或多个处理器；存储装置，用于存储一个或多个程序；当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行，使得所述一个或多个处理器实现本公开提供的任一实施例所述的方法。

根据本公开的一个方面，提供一种计算机可读介质，其上存储有计算机程序，所述程序被处理器执行时实现本公开提供的任一实施例所述的方法。