[发明专利]半导体存储器的训练方法及相关设备

权利要求书

1.一种半导体存储器的训练方法，其特征在于，所述半导体存储器包括多根目标信号线，每根目标信号线在目标电压参考范围内具有多个参考电压；其中，所述方法包括：

从所述多个参考电压中选取相邻的两个参考电压作为第一参考电压和第二参考电压；

根据每根目标信号线在所述第一参考电压下的最小时延值，获得所述多根目标信号线在所述第一参考电压下的第一最小时延值；所述第一最小时延值为所述多根目标信号线分别在所述第一参考电压下的最小时延值之中的最小值；

根据每根目标信号线在所述第二参考电压下的最小时延值，获得所述多根目标信号线在所述第二参考电压下的第二最小时延值；所述第二最小时延值为所述多根目标信号线分别在所述第二参考电压下的最小时延值之中的最小值；

根据所述第一最小时延值和所述第二最小时延值，确定期望时延值所在目标区间，所述期望时延值为所述多个参考电压下所述多根目标信号线的最小时延值中的最大值；

在所述目标区间内查找所述期望时延值，以确定所述期望时延值对应的参考电压作为所述半导体存储器的训练结果。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器的训练方法，其特征在于，所述多根目标信号线包括第一目标信号线；其中，获得所述多根目标信号线在所述第一参考电压下的第一最小时延值，包括：

获取所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的初始时延范围；

在所述初始时延范围内，按照第一步长获得所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的第一待测试时延值；

在所述第一参考电压下，若首次查找到相邻两个第一待测试时延值下所述第一目标信号线的测试结果不一致，则根据第二步长在首次查找的所述相邻两个第一待测试时延值之间查找所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的最小时延值；

其中所述第一步长大于所述第二步长。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器的训练方法，其特征在于，获得所述多根目标信号线在所述第一参考电压下的第一最小时延值，还包括：

在所述第一参考电压下，向所述半导体存储器写入数据；

在所述第一参考电压下，在所述第一待测试时延值后，从所述半导体存储器读取数据；

若所述写入数据与所述读取数据一致，则判定在所述第一参考电压下的所述第一待测试时延值下，所述第一目标信号线的测试结果为正常工作；

若所述写入数据与所述读取数据不一致，则判定在所述第一参考电压下的所述第一待测试时延值下，所述第一目标信号线的测试结果为非正常工作。

4.根据权利要求2所述的半导体存储器的训练方法，其特征在于，根据第二步长在首次查找的所述相邻两个第一待测试时延值之间查找所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的最小时延值，包括：

从首次查找的所述相邻两个第一待测试时延值中的位于第一侧的第一待测试时延值开始，按照所述第二步长获得所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的第二待测试时延值；

在所述第一参考电压下，若首次查找到相邻两个第二待测试时延值下所述第一目标信号线的测试结果不一致，则将首次查找的所述相邻两个第二待测试时延值中的位于第二侧的第二待测试时延值作为所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的最小时延值。

5.根据权利要求2所述的半导体存储器的训练方法，其特征在于，根据第二步长在首次查找的所述相邻两个第一待测试时延值之间查找所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的最小时延值，包括：

从首次查找的所述相邻两个第一待测试时延值中的位于第二侧的第一待测试时延值开始，按照所述第二步长获得所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的第二待测试时延值；

在所述第一参考电压下，若首次查找到相邻两个第二待测试时延值下所述第一目标信号线的测试结果不一致，则将首次查找的所述相邻两个第二待测试时延值中的位于第一侧的第二待测试时延值作为所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的最小时延值。