[发明专利]一种高温尺寸稳定导热聚酰亚胺薄膜及其制备方法

说明书

本发明公开了一种高温尺寸稳定导热聚酰亚胺薄膜的制备方法，包括如下步骤：在惰性气体氛围中，向芳香型二胺溶液中加入填料混匀，然后加入芳香型二酐，进行反应，然后加入八(氨基苯基三氧硅烷)溶液，继续反应得到中间物料；取中间物料脱泡并涂布于基板表面，烘干，亚胺化，脱膜得到高温尺寸稳定导热聚酰亚胺薄膜，其中，填料为改性纳米氮化硼和改性纳米二氧化硅。本发明还公开了一种高温尺寸稳定导热聚酰亚胺薄膜，按照上述高温尺寸稳定导热聚酰亚胺薄膜的制备方法制得。本发明导热性好，高温时尺寸稳定。

技术领域

本发明涉及聚酰亚胺薄膜技术领域，尤其涉及一种高温尺寸稳定导热聚酰亚胺薄膜及其制备方法。

背景技术

聚酰亚胺(PI)薄膜具有良好的耐高温、高强度、低介电等性能，广泛应用于电子、电气绝缘基材等方面。

随着电子信息技术的飞速发展，电子器件和集成电器的尺寸不断缩小，运行速度越来越快，从而散发出大量的热量。而热量的积聚会严重影响电子器件和电路运行的稳定性，甚至会带来安全隐患。

而常规用作电子电路绝缘基材的聚酰亚胺薄膜，其导热系数一般均低于0.2Wm^-1K^-1，所制备器件散热效果不理想，长期处于高温状态，也会影响聚酰亚胺薄膜的尺寸稳定性。

发明内容

基于背景技术存在的技术问题，本发明提出了一种高温尺寸稳定导热聚酰亚胺薄膜及其制备方法，本发明导热性好，高温时尺寸稳定。

本发明提出的一种高温尺寸稳定导热聚酰亚胺薄膜的制备方法，包括如下步骤：在惰性气体氛围中，向芳香型二胺溶液中加入填料混匀，然后加入芳香型二酐，进行反应，然后加入八(氨基苯基三氧硅烷)溶液，继续反应得到中间物料；取中间物料脱泡并涂布于基板表面，烘干，亚胺化，脱膜得到高温尺寸稳定导热聚酰亚胺薄膜，其中，填料为改性纳米氮化硼和改性纳米二氧化硅。

优选地，芳香型二胺为4,4'-二氨基二苯醚、对苯二胺、3,4'-二氨基二苯醚中的至少一种。

优选地，芳香型二酐为3,3',4,4'-联苯四甲酸二酐。

优选地，高温尺寸稳定导热聚酰亚胺薄膜中，填料的终含量为15-20wt％。

优选地，改性纳米氮化硼和改性纳米二氧化硅的重量比为8-9:1。

优选地，改性纳米氮化硼、改性纳米二氧化硅均是经3-氨基丙基三乙氧基硅烷改性制得。

优选地，改性纳米氮化硼的粒径为20-25nm。

优选地，改性纳米二氧化硅的粒径为10-15nm。

优选地，反应温度为40-60℃。

优选地，加入芳香型二酐，进行反应4-5h，然后加入八(氨基苯基三氧硅烷)溶液，继续反应1-1.5h。

优选地，烘干温度为110-130℃。

优选地，亚胺化的程序为：于240-260℃保温30-50min，再于320-340℃保温20-40min。

优选地，芳香型二胺、芳香型二酐和八(氨基苯基三氧硅烷)的摩尔比为1:0.9-0.95:0.01-0.02。

优选地，中间物料的固含量为15-25wt％。

优选地，芳香型二胺溶液的溶剂为N,N-二甲基乙酰胺或N-甲基吡咯烷酮。

优选地，八(氨基苯基三氧硅烷)溶液的溶剂为四氢呋喃。

本发明还提出一种高温尺寸稳定导热聚酰亚胺薄膜，按照上述高温尺寸稳定导热聚酰亚胺薄膜的制备方法制得。