[发明专利]温度传感器、电路装置、振荡器、电子设备以及移动体有效
申请号: | 202010216366.8 | 申请日: | 2020-03-25 |
公开(公告)号: | CN111751029B | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 野宫崇;泽田光章;井伊巨树 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | G01K15/00 | 分类号: | G01K15/00;G01K7/16;H03B5/32;H03B5/04 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 邓毅;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 温度传感器 电路 装置 振荡器 电子设备 以及 移动 | ||
1.一种温度传感器,其特征在于,该温度传感器输出温度检测电压,并包含:
第1双极晶体管;
第1电阻,其设置在第1节点与第1集电极节点之间,该第1节点与作为所述第1双极晶体管的基极节点的第1基极节点连接,该第1集电极节点是所述第1双极晶体管的集电极节点;以及
第1可变电阻电路,其设置在第1发射极节点与地节点之间,该第1发射极节点是所述第1双极晶体管的发射极节点,
该温度传感器包含:
缓冲电路,其通过对来自所述第1集电极节点的输出电压进行缓冲来输出所述温度检测电压;以及
背栅电压控制电路,
所述缓冲电路具有差动部,该差动部具有电流镜电路和与所述电流镜电路电连接的差动对,
所述电流镜电路由作为MOS晶体管的第1晶体管和第2晶体管构成,
所述差动对由作为双极晶体管的第1差动对晶体管和第2差动对晶体管构成,
向所述第1差动对晶体管的基极节点输入来自所述第1集电极节点的所述输出电压,所述第2差动对晶体管的基极节点与所述缓冲电路的输出节点电连接,
所述背栅电压控制电路对所述第1晶体管的背栅电压和所述第2晶体管的背栅电压中的至少一方进行控制。
2.根据权利要求1所述的温度传感器,其特征在于,
该温度传感器包含恒流电路,该恒流电路设置在电源节点与所述第1节点之间,向所述第1节点输出恒定电流。
3.根据权利要求1或2所述的温度传感器,其特征在于,
所述第1可变电阻电路具有:
多个电阻,它们串联连接在所述第1发射极节点与所述地节点之间;以及
多个开关,各开关连接在所述多个电阻中的任意一个电阻的一端与所述地节点之间。
4.根据权利要求1所述的温度传感器,其特征在于,
该温度传感器包含:
第2双极晶体管;
第2电阻,其设置在第2节点与第2集电极节点之间,该第2节点与作为所述第2双极晶体管的基极节点的第2基极节点连接,该第2集电极节点是所述第2双极晶体管的集电极节点;以及
第2可变电阻电路,其设置在第2发射极节点与所述第1集电极节点之间,该第2发射极节点是所述第2双极晶体管的发射极节点。
5.一种温度传感器,其特征在于,该温度传感器输出温度检测电压,并包含:
第1双极晶体管;
第1电阻,其设置在第1节点与第1集电极节点之间,该第1节点与作为所述第1双极晶体管的基极节点的第1基极节点连接,该第1集电极节点是所述第1双极晶体管的集电极节点;
第2双极晶体管;
第2电阻,其设置在第2节点与第2集电极节点之间,该第2节点与作为所述第2双极晶体管的基极节点的第2基极节点连接,该第2集电极节点是所述第2双极晶体管的集电极节点;以及
可变电阻电路,其设置在第2发射极节点与所述第1集电极节点之间,该第2发射极节点是所述第2双极晶体管的发射极节点,
该温度传感器包含:
缓冲电路,其通过对来自所述第2集电极节点的输出电压进行缓冲而输出所述温度检测电压;以及
背栅电压控制电路,
所述缓冲电路具有差动部,该差动部具有电流镜电路和与所述电流镜电路电连接的差动对,
所述电流镜电路由作为MOS晶体管的第1晶体管和第2晶体管构成,
所述差动对由作为双极晶体管的第1差动对晶体管和第2差动对晶体管构成,
向所述第1差动对晶体管的基极节点输入来自所述第2集电极节点的所述输出电压,所述第2差动对晶体管的基极节点与所述缓冲电路的输出节点电连接,
所述背栅电压控制电路对所述第1晶体管的背栅电压和所述第2晶体管的背栅电压中的至少一方进行控制。
6.一种电路装置,其特征在于,该电路装置包含:
权利要求1~5中的任意一项所述的温度传感器;以及
电路,其根据来自所述温度传感器的所述温度检测电压来进行动作。
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