[发明专利]晶圆双面减薄方法

说明书

本发明公开了一种晶圆双面减薄方法，所述方法包括：将保护胶涂在晶圆的正面，并使所述晶圆的背面裸露；通过研磨装置并用含有第一研磨粉的碱性研磨液对所述晶圆进行粗磨；对所述晶圆进行清洗；通过研磨装置并用含有第二研磨粉的碱性研磨液对所述晶圆进行精磨；对所述晶圆进行清洗，并将所述晶圆的正面的保护胶去除；将所述晶圆放入研磨机中并用第三研磨粉对所述晶圆的正面与背面进行精磨；其中，第三研磨粉的直径小于或等于第二研磨粉，第二研磨粉的直径小于第一研磨粉。本发明能够提高对晶圆减薄的加工的精细度。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆双面减薄方法。

背景技术

晶圆指制造半导体晶体管或集成电路的衬底(也叫基片)。随着半导体芯片不断向高密度、高性能、小型化和轻薄化发展，半导体晶圆的减薄工艺就显得愈加重要。目前，晶圆一般通过机械研磨来减薄，一般采用双面研磨，其过程是上下两个大盘，可以独立运动，晶圆被夹在中间，同时对晶圆两个面进行研磨。现有的这种对晶圆减薄的方式对晶圆的加工不够精细，加工效果有待提高。

发明内容

针对上述问题，本发明的目的在于提供晶圆双面减薄方法，其能够提高对晶圆减薄的加工的精细度。

为了实现上述目的，本发明一实施例提供了一种晶圆双面减薄方法，包括：

将保护胶涂在晶圆的正面，并使所述晶圆的背面裸露；

通过研磨装置并用含有第一研磨粉的碱性研磨液对所述晶圆进行粗磨；

对所述晶圆进行清洗；

通过研磨装置并用含有第二研磨粉的碱性研磨液对所述晶圆进行精磨；

对所述晶圆进行清洗，并将所述晶圆的正面的保护胶去除；

将所述晶圆放入研磨机中并用第三研磨粉对所述晶圆的正面与背面进行精磨；

其中，第三研磨粉的直径小于或等于第二研磨粉，第二研磨粉的直径小于第一研磨粉。

作为上述方案的改进，所述碱性研磨液包括铵氢氧化物。

作为上述方案的改进，所述碱性研磨液的PH值为9.5-10.5。

作为上述方案的改进，所述第一研磨粉的直径为20-25nm，所述第二研磨粉的直径为5-8nm，所述第三研磨粉的直径为3-5nm。

作为上述方案的改进，用含有第一研磨粉的碱性研磨液对所述晶圆进行粗磨的时间为9-11分钟；用含有第二研磨粉的碱性研磨液对所述晶圆进行精磨的时间为9-11分钟。

作为上述方案的改进，所述对所述晶圆进行清洗，包括：

将所述晶圆放入去离子水中并用超声波进行震荡清洗；震荡清洗时间为15-25分钟。

相比于现有技术，本发明实施例提供的所述晶圆双面减薄方法，首先，通过将保护胶涂在晶圆的正面，并使所述晶圆的背面裸露；接着，通过研磨装置并用含有第一研磨粉的碱性研磨液对所述晶圆进行粗磨；然后，通过研磨装置并用含有第二研磨粉的碱性研磨液对所述晶圆进行精磨；最后，将正面的保护胶去除的所述晶圆放入研磨机中并用第三研磨粉对所述晶圆的正面与背面进行精磨，这样可以对晶圆的双面进行减薄。由于在对晶圆的背面进行研磨时，晶圆的正面有保护胶保护，因此晶圆的正面不会受到影响，保证晶圆的正面在进入下一研磨工序时该面的加工要求不会受到背面研磨的影响，从而确保晶圆的正面在进行精磨时能够具有更好的加工精细度；此外，由于是先用含有第一研磨粉的碱性研磨液来对晶圆的背面进行粗磨，再用含有第二研磨粉的碱性研磨液来对晶圆的背面进行研磨，这样可以提高对晶圆的背面的研磨减薄效率，同时也能够提高对晶圆的背面的研磨精细度。

附图说明