[发明专利]一种半导体保护膜用减粘胶层及其制备方法

说明书

本发明涉及保护膜的相关技术领域，更具体地，本发明提供一种半导体保护膜用减粘胶层及其制备方法。本发明的第一方面提供一种半导体保护膜用减粘胶层，包括原料：丙烯酸树脂、引发剂、热膨胀材料以及溶剂，其中丙烯酸树脂的制备原料包括丙烯酸酯单体以及多异氰酸酯。本发明通过采用含有特定减粘层的保护膜实现所得保护膜可以达到热处理与照射前较高的剥离强度，实现高粘贴性，同时也能在较低温度下实现无残胶的剥离，且剥离强度较低，在实际使用过程中很方便。

技术领域

本发明涉及保护膜的相关技术领域，更具体地，本发明提供一种半导体保护膜用减粘胶层及其制备方法。

背景技术

在微小元器件如塑料件、玻璃、金属板等进行加工时，通常需要采用胶带辅助固定，避免在切割工艺中由于元器件移动导致损坏。此外，在蚀刻、冲洗、或涂装工艺中，需要打磨某元器件的局部表面时，为了保护不需要加工的其他部分不受影响，也会采用胶带先遮住不需要加工的部位，待加工完成后再剥离。但是用于固定或者遮蔽的胶带，其粘贴强度需要严格控制，如果粘贴力过强，容易在拆除胶带时发生损坏元器件的状况，而如果粘贴力过小，则容易无法完全固定/遮蔽元器件导致损坏。

现有技术一般采用减粘型保护膜进行处理，固定/遮蔽时保持高粘度，保证元器件固定稳固，切割完成后采用一定的手段降低粘度，在去除胶带。但是现有技术仍未做到十分优秀的易剥离性，损坏元器件的情况仍然时有发生，且不容易实现固定时高的剥离强度，而在较低温度下实现易剥离、无残胶的技术效果。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明的第一方面提供一种半导体保护膜用减粘胶层，包括原料：丙烯酸树脂、引发剂、热膨胀材料以及溶剂，其中丙烯酸树脂的制备原料包括丙烯酸酯单体以及多异氰酸酯。

作为本发明的一种优选技术方案，包括以下重量份的原料：35～55份丙烯酸树脂、0.5～3.2份引发剂、5～15份热膨胀材料以及40～65份溶剂。

作为本发明的一种优选技术方案，丙烯酸酯单体选自新戊二醇二丙烯酸酯、三缩丙二醇双丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸丁酯、月桂酸丙烯酸酯、异冰片基丙烯酸酯、醋酸乙烯酯、甲基丙烯酸甲酯、月桂酸甲基丙烯酸酯、异冰片基甲基丙烯酸酯、烯酸羟乙酯、丙烯酸羟丙酯、丙烯酸羟丁酯、6-羟基己基丙烯酸酯、2,4-二羟基丙基甲基丙烯酸酯中的任一种或多种的组合。

作为本发明的一种优选技术方案，多异氰酸酯选自三亚甲基二异氰酸脂、四亚甲基二异氰酸脂、1,2－亚丙基二异氰酸脂、2,3－亚丁基二异氰酸脂、1,3－亚丁基二异氰酸脂、十二亚甲基二异氰酸脂中的任一种或多种的组合。

作为本发明的一种优选技术方案，膨胀材料为碳酸氢钠和/或Expancel系列的膨胀微球。

作为本发明的一种优选技术方案，Expancel系列的膨胀微球的粒径为8～30μm，热膨胀温度为80～200℃。

作为本发明的一种优选技术方案，引发剂包括光引发剂与热引发剂。

本发明的第二方面提供一种半导体保护膜，依次包括基材层、减粘胶层和离型膜层，其中减粘胶层为所述的减粘胶层。

作为本发明的一种优选技术方案，基材层的厚度为60-200μm；减粘胶层的厚度为20-40μm；离型膜层的厚度为20-50μm。

本发明的第三方面提供一种半导体保护膜的制备方法，将减粘胶层涂布于基材层表面，预烘后在减粘胶层上贴合离型膜层，熟化，得到所述保护膜。

有益效果：本发明通过采用含有特定减粘层的保护膜实现所得保护膜可以达到热处理与照射前较高的剥离强度，实现高粘贴性，同时也能在较低温度下实现无残胶的剥离，在实际使用过程中很方便。

具体实施方式