[发明专利]一种半导体保护膜用减粘胶层及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体保护膜用减粘胶层，其特征在于，包括原料：丙烯酸树脂、引发剂、热膨胀材料以及溶剂，其中丙烯酸树脂的制备原料包括丙烯酸酯单体以及多异氰酸酯；

所述半导体保护膜用减粘胶层包括以下重量份的原料：35~55份丙烯酸树脂、0.5~3.2份引发剂、5~15份热膨胀材料以及40~65份溶剂；

所述丙烯酸酯单体为2,4-二羟基丙基甲基丙烯酸酯，烯酸羟乙酯，月桂酸丙烯酸酯的混合物；所述2,4-二羟基丙基甲基丙烯酸酯，烯酸羟乙酯，月桂酸丙烯酸酯的摩尔比为（0.3~0.6）：1：（0.2~0.45）；

所述多异氰酸酯为三亚甲基二异氰酸酯 、四亚甲基二异氰酸酯 、1 ,2－亚丙基二异氰酸酯 、2 ,3－亚丁基二异氰酸酯 、1 ,3－亚丁基二异氰酸酯 、十二亚甲基二异氰酸酯中的任一种或多种的组合；

所述丙烯酸酯单体与多异氰酸酯的重量比为1：（0.3~0.6）；

所述膨胀材料为Expancel系列的膨胀微球；所述Expancel系列的膨胀微球为051DU40、031DU40、053DU40中的任一种；

所述Expancel系列的膨胀微球的粒径为8~30μm，热膨胀温度为80~200℃；

所述减粘胶层的制备方法如下：

（1）先将丙烯酸酯单体、多异氰酸酯以及二分之一重量的溶剂混合，再于70~85℃搅拌处理6~8h；

（2）再将膨胀材料与剩余二分之一重量的溶剂搅拌20~30min，再加入引发剂与步骤（1）所得物质搅拌20~30min，即得。

2.根据权利要求1所述半导体保护膜用减粘胶层，其特征在于，引发剂包括光引发剂与热引发剂。

3.一种半导体保护膜，其特征在于，依次包括基材层、减粘胶层和离型膜层，其中减粘胶层为权利要求1~2任一项所述的减粘胶层。

4.根据权利要求3所述半导体保护膜，其特征在于，基材层的厚度为60-200μm；减粘胶层的厚度为20-40μm；离型膜层的厚度为20-50μm。

5.一种根据权利要求3或4所述半导体保护膜的制备方法，其特征在于，将减粘胶层涂布于基材层表面，预烘后在减粘胶层上贴合离型膜层，熟化，得到所述保护膜。