[发明专利]一种结合鳍式电晶管与SOI电晶管的器件结构及制造方法在审
| 申请号： | 202010212553.9 | 申请日： | 2020-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN111403386A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 郑智仁;翁文寅 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结合 鳍式电晶管 soi 电晶管 器件 结构 制造 方法 | ||
1.一种结合鳍式电晶管与SOI电晶管的器件结构，其特征在于，该器件结构至少包括：
基底和位于所述基底上的氧化层；
位于所述氧化层上的薄层硅，位于所述薄层硅上的多个硅的凸起结构；
形成于所述多个硅的凸起结构表面以及所述多个硅的凸起结构之间的所述薄层硅上的一层氧化物，覆盖在所述氧化物表面并填充在所述多个硅的凸起结构之间的栅极金属层。
2.根据权利要求1所述的结合鳍式电晶管与SOI电晶管的器件结构，其特征在于：位于所述基底上的所述氧化层为二氧化硅。
3.根据权利要求1所述的结合鳍式电晶管与SOI电晶管的器件结构，其特征在于：位于所述氧化层上的所述薄层硅为单晶硅。
4.根据权利要求1所述的结合鳍式电晶管与SOI电晶管的器件结构，其特征在于：位于所述薄层硅上的多个硅的凸起结构中所述硅的凸起结构材料为单晶硅。
5.根据权利要求1所述的结合鳍式电晶管与SOI电晶管的器件结构，其特征在于：形成于所述多个硅的凸起结构表面以及所述多个硅的凸起结构之间的所述薄层硅上的氧化物为高性能氧化物。
6.根据权利要求1所述的结合鳍式电晶管与SOI电晶管的器件结构，其特征在于：所述多个硅的凸起结构的高度为40nm。
7.根据权利要求1所述的结合鳍式电晶管与SOI电晶管的器件结构，其特征在于：所述栅极金属层材料包含TiN和TaN。
8.根据权利要求1所述的结合鳍式电晶管与SOI电晶管的器件结构，其特征在于：所述氧化层的厚度为100nm。
9.根据权利要求1所述的结合鳍式电晶管与SOI电晶管的器件结构，其特征在于：所述薄层硅的厚度为30nm。
10.根据权利要求1所述的结合鳍式电晶管与SOI电晶管的器件结构，其特征在于：所述氧化物的厚度为10埃。
11.根据权利要求1至10任意一项所述的结合鳍式电晶管与SOI电晶管的器件结构的制作方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：
步骤一、提供硅基底，在所述硅基底上形成一层氧化层；
步骤二、在所述氧化层上沉积形成一硅层；
步骤三、刻蚀所述硅层形成多个硅的凸起结构，并且刻蚀至形成的所述硅的凸起结构之间的硅层距离所述氧化层的厚度为30nm时停止刻蚀，形成位于所述硅的凸起结构之间薄层硅；
步骤四、在所述多个硅的凸起结构及其之间的薄层硅上沉积一层氧化物；
步骤五、在所述氧化物表面沉积栅极金属层，并且所述栅极金属层填充于所述多个硅的凸起结构之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
