[发明专利]切割带

说明书

提供即使用于包括溶剂清洗工序的半导体晶圆的制造的情况下，也能适当地保持晶圆、防止粘合剂的晶圆污染所导致的成品率降低的切割带。本发明的切割带具备：基材、和配置于该基材的单侧的粘合剂层，所述切割带用于包括溶剂清洗工序的半导体晶圆的制造方法。该粘合剂层的异丙醇溶出物为5mg以下。

技术领域

本发明涉及切割带。

背景技术

对于作为电子部件的集合体的工件(例如，半导体晶圆)，以大直径制造、在表面形成图案后，通常对背面进行磨削以使晶圆的厚度成为100μm～600μm左右，接着切断分离(切割)为元件小片，进而移至安装工序。该切割工序中，将工件切断、进行小片化。半导体的制造过程中，为了将半导体晶圆、切割工序中使用的切割框(例如，SUS环)固定，使用粘合片(例如，专利文献1)。

半导体晶圆有时通过背面研磨工序被加工成薄型，由此其强度降低，在晶圆产生裂纹和/或翘曲。进而，强度降低了的晶圆其处理也困难。因此，有时预先将作为支承材的玻璃、硬质塑料等贴附于晶圆并进行背面研磨工序，担保晶圆的强度。该支承材可以使用例如粘接剂组合物或粘接带等来贴合于晶圆。该支承材在背面研磨工序以及背面布线及凸块的形成工序所供给的期间可支撑晶圆。其后，将晶圆贴合于粘合片(例如，切割带)，剥离该支承材后，供于切割工序。因此，作为用于将支承材粘接的粘接剂，提出了在背面研磨工序后可容易地剥离的粘接剂(例如，专利文献1)。通常使用粘接剂将支承材贴附的情况下，通过使用溶剂使粘接剂溶解来剥离支承材。但是，利用该溶剂的清洗(使粘接剂溶解)工序中存在粘合带(切割带)的粘合力降低、不能充分保持晶圆的问题。另外，还存在因以溶剂溶解的粘合剂而产生晶圆的污染、成品率降低的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-007646号公报

专利文献2：日本特开2014-37458号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明是为了解决上述以往的问题而作出的，其提供即使用于包括溶剂清洗工序的半导体晶圆的制造的情况下，也能适当地保持晶圆、防止粘合剂的晶圆污染所导致的成品率降低的切割带。

用于解决问题的方案

本发明的切割带具备：基材、和配置于该基材的单侧的粘合剂层，所述切割带用于包括溶剂清洗工序的半导体晶圆的制造方法。该粘合剂层的异丙醇溶出物为5mg以下。

1个实施方式中，形成上述粘合剂层的组合物包含重均分子量5000以上的添加剂。

1个实施方式中，上述添加剂的含量相对于粘合剂的基础聚合物100重量份为5重量份～100重量份。

1个实施方式中，本发明的切割带贴合于具有凹凸面的被粘物而使用。

1个实施方式中，上述具有凹凸面的被粘物为TSV晶圆。

发明的效果

本发明的切割带具备：基材、和配置于该基材的单侧的粘合剂层，该粘合剂层的异丙醇溶出物为5mg以下。通过使用这样的切割带，可以提供即使用于包括溶剂清洗工序的半导体晶圆的制造的情况下，也能适当地保持晶圆、防止粘合剂的晶圆污染所导致的成品率降低的切割带。

附图说明

图1为本发明的1个实施方式的切割带的截面示意图。

附图标记说明

10基材

20粘合剂层