[发明专利]栅极驱动电路、功率开关电路及电器设备在审

专利信息
申请号: 202010210128.6 申请日: 2020-03-23
公开(公告)号: CN111294034A 公开(公告)日: 2020-06-16
发明(设计)人: 刘利书;冯宇翔 申请(专利权)人: 广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司
主分类号: H03K17/567 分类号: H03K17/567
代理公司: 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 代理人: 刘广达
地址: 528311 广东省佛山市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 栅极 驱动 电路 功率 开关电路 电器设备
【权利要求书】:

1.一种栅极驱动电路,用于驱动半导体开关器件,其特征在于,包括:

运算放大器,所述运算放大器的一个输入端接参考电压,另一个输入端通过反馈电阻接半导体开关器件的发射极;

缓冲器,所述缓冲器的输入端接所述运算放大器的输出端,所述缓冲器的输出端接所述半导体开关器件的栅极。

2.根据权利要求1所述的栅极驱动电路,其特征在于,所述参考电压是根据所述半导体开关器件的特性曲线获得的。

3.根据权利要求2所述的栅极驱动电路,其特征在于,所述半导体开关器件的特性曲线包括半导体开关器件在开通和关断过程中的电流曲线。

4.根据权利要求1所述的栅极驱动电路,其特征在于,所述运算放大器的同相输入端接参考电压。

5.根据权利要求1所述的栅极驱动电路,其特征在于,所述运算放大器的工作电源为外部电压。

6.根据权利要求1所述的栅极驱动电路,其特征在于,所述缓冲器的工作电源为外部电压。

7.根据权利要求1所述的栅极驱动电路,其特征在于,所述半导体开关器件为绝缘栅双极型晶体管IGBT、场效应晶体管FET或双极性晶体管BJT。

8.一种功率开关电路,其特征在于,包括:

半导体开关器件;以及

权利要求1至7中任一项所述的栅极驱动电路;

其中,所述半导体开关器件包括栅极、发射极和集电极;所述栅极驱动电路包括运算放大器和缓冲器;

所述缓冲器的输出端与所述半导体开关器件的栅极连接,所述运算放大器的一个输入端接参考电压,另一个输入端通过反馈电阻与半导体开关器件的发射极连接。

9.根据权利要求8所述的功率开关电路,其特征在于,所述半导体开关器件为绝缘栅双极型晶体管IGBT、场效应晶体管FET或双极性晶体管BJT。

10.一种电器设备,其特征在于,包括权利要求8至9中任一项所述的功率开关电路。

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