[发明专利]一种芯片的制造方法在审

专利信息
申请号: 202010207580.7 申请日: 2020-03-23
公开(公告)号: CN111261607A 公开(公告)日: 2020-06-09
发明(设计)人: 姜域;付金铭;张敏健;殷昌荣;袁鹏 申请(专利权)人: 上海艾为电子技术股份有限公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/482;H01L23/58
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 陈志海
地址: 201199 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种芯片的制造方法,所述芯片包括塑封体,其特征在于,所述制造方法包括:

在所述塑封体表面开出元器件槽以及在所述塑封体表面开出连接槽;

向所述元器件槽埋入校准元器件;

在所述连接槽内设置连接机构将所述校准元器件与所述芯片的引脚端连接。

2.根据权利要求1所述的芯片的制造方法,其特征在于,所述元器件槽的深度不小于待埋的校准元器件的厚度,不大于所述塑封体的厚度,截面尺寸与所述校准元器件适配。

3.根据权利要求1所述的芯片的制造方法,其特征在于,所述元器件槽通过激光镭射技术开出。

4.根据权利要求1所述的芯片的制造方法,其特征在于,所述连接槽,包括:

连接所述元器件槽和第一引脚端的第一连接槽,和连接所述元器件槽和第二引脚端的第二连接槽。

5.根据权利要求4所述的芯片的制造方法,其特征在于,所述元器件槽位于多个引脚端围绕所形成的区域。

6.根据权利要求1所述的芯片的制造方法,其特征在于,所述连接槽,包括:

连接所述元器件槽和射频口的第一连接槽,和连接所述元器件槽和接地端的第二连接槽。

7.根据权利要求1所述的芯片的制造方法,其特征在于,所述连接槽通过激光镭射技术开出。

8.根据权利要求1所述的芯片的制造方法,其特征在于,所述连接槽的宽度不大于待埋校准元器件宽度。

9.根据权利要求1所述的芯片的制造方法,其特征在于,所述校准元器件,包括:校准电阻。

10.根据权利要求1所述的芯片的制造方法,其特征在于,在所述塑封体表面开出连接槽之后,在所述向所述元器件槽埋入校准元器件之前,还包括:

取出所述芯片中的预装元器件。

11.根据权利要求1所述的芯片的制造方法,其特征在于,所述在所述连接槽内设置连接机构将所述校准元器件与所述芯片的引脚端连接,包括:

在所述连接槽内填充焊锡膏将所述校准元器件与所述芯片的引脚端连接;

或者,在所述连接槽内埋入焊锡丝将所述校准元器件与所述芯片的引脚端连接。

12.根据权利要求1所述的芯片的制造方法,其特征在于,在所述连接槽内设置连接机构将所述校准元器件与所述芯片的引脚端连接之后,还包括:

填充所述元器件槽和所述连接槽,使所述元器件槽和所述连接槽与其周围所述塑封体齐平。

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