[发明专利]用于气相沉积设备的晶圆承载装置

说明书

一种用于气相沉积设备的晶圆承载装置，包括转轴及旋转盘。转轴用以提供公转，旋转盘连接该转轴，周边辐射状环设多个开口。开口的任一周缘环设一段差部，其周缘环设凹槽，凹槽内分布滚珠，滚珠直径不大于凹槽的宽度，但大于凹槽的深度。环绕凹槽周缘的侧壁上设有传动机构。支撑架固设于段差部上，支撑架顶面中心具有第一结构。晶圆托盘顶面用以承载晶圆，底面中心具有第二结构，用以嵌合支撑架的第一结构，晶圆托盘周檐置放于凹槽上的滚珠上，通过传动机构驱动晶圆托盘旋转。

【技术领域】

本发明是有关于一种晶圆承载装置，且特别是用于气相沉积设备的晶圆承载装置，通过结构的设计，而能够精准定位及避免于运作过程发生位移的情况。

【背景技术】

在半导体制程中，气相沉积设备是使用各种不同来源气体形成薄膜，包括化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积等。其中金属有机化学气相沉积(MOCVD)是化学气相沉积的一种，其于成长薄膜时，为将载流气体(Carrier Gas)通过金属有机反应源的容器，将反应源的饱和蒸气输送至反应腔中与其它反应气体混合，并借由加热装置控制待成长晶圆的加热温度，然后在待成长晶圆上面发生化学反应促成薄膜的成长。

MOCVD装置包含反应腔体、配置于腔体内的承载基座以及用以使反应气体流动至基板表面的管路。制程过程中需要将晶圆加热至适当的温度，经由管路将有机金属的气体导入至晶圆表面，借此进行成膜制程。当承载基座转动时，设置于其上的晶圆也跟着向承载基座的中心轴转动。由于制程环境需于低温或高温下高速转动，在设计上须考虑各元件的热膨胀对于对位造成的影响。因此，如何开发出可以精确限制元件对位且不受热胀冷缩影响的设备，为业界需要思考的问题。

【发明内容】

本发明目的的一是提供一种晶圆承载装置，设计支撑架顶面中心具有第一结构，且晶圆托盘底面中心具有第二结构，且借由第二结构嵌合第一结构，限制晶圆托盘的中心与支撑架中心(旋转盘开孔中心)在同一位置，达到精确对位的效果。

本发明提供一种用于气相沉积设备的晶圆承载装置，包括转轴及旋转盘。转轴用以提供公转，旋转盘连接该转轴，周边辐射状环设多个开口。开口的任一周缘环设一段差部，其周缘环设凹槽，凹槽内分布滚珠，滚珠直径不大于凹槽的宽度，但大于凹槽的深度。环绕凹槽周缘的侧壁上设有传动机构。支撑架固设于段差部上，支撑架顶面中心具有第一结构。晶圆托盘顶面用以承载晶圆，底面中心具有第二结构，用以嵌合支撑架的第一结构，晶圆托盘周檐置放于凹槽上的滚珠上，通过传动机构驱动晶圆托盘旋转。

以下借由具体实施例配合所附的图式详加说明，当更容易了解本发明的目的、技术内容、特点及其所达成的功效。

【附图说明】

图1是绘示依照本发明一实施例的用于气相沉积设备的晶圆承载装置的俯视图。

图2是绘示依照本发明一实施例的用于气相沉积设备的晶圆承载装置的部分侧视图。

图3是绘示如图2的晶圆承载装置的嵌合结构放大示意图。

图4是绘示如图2的晶圆承载装置的凹槽及滚珠结构放大示意图。

图5是绘示依照本发明一实施例的支撑架的俯视图。

图6是绘示依照本发明一实施例的晶圆托盘的示意图。

图7是绘示依照本发明另一实施例的晶圆承载装置的部分侧视图。

图8绘示依照本发明另一实施例的嵌合结构的放大示意图。

图9绘示依照本发明又一实施例的嵌合结构的放大示意图。

【符号说明】

1:晶圆承载装置

20:旋转盘

200:开口

202:段差部