[发明专利]用于气相沉积设备的晶圆承载装置有效
申请号: | 202010203360.7 | 申请日: | 2020-03-20 |
公开(公告)号: | CN111719140B | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
发明(设计)人: | 黄灿华;梁佑笙 | 申请(专利权)人: | 汉民科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 郭蔚 |
地址: | 中国台湾台北市大*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 沉积 设备 承载 装置 | ||
1.一种用于气相沉积设备的晶圆承载装置,其特征在于,包括:
一转轴,用以提供一公转;以及
一旋转盘,连接该转轴,周边辐射状环设多个开口,其中
该多个开口的任一周缘环设一段差部,该段差部周缘环设一凹槽,该凹槽内分布多个滚珠,该多个滚珠的直径不大于该凹槽的宽度,但该多个滚珠的直径大于该凹槽的深度,环绕该凹槽周缘的侧壁上,设有一传动机构;
一支撑架,固设于该段差部上,该支撑架的顶面中心具有一第一结构;以及
一晶圆托盘,该晶圆托盘的顶面用以承载一晶圆,该晶圆托盘的底面中心具有一第二结构用以嵌合于该支撑架的该第一结构,该晶圆托盘周檐置放于该凹槽上的该多个滚珠上,并通过该传动机构驱动该晶圆托盘旋转。
2.如权利要求1所述的用于气相沉积设备的晶圆承载装置,其特征在于,该第一结构是一凹锥结构,该第二结构是一凸锥结构,且该凹锥结构对应该凸锥结构。
3.如权利要求2所述的用于气相沉积设备的晶圆承载装置,其特征在于,该第一结构是圆锥状凹锥结构,具有一第一顶点及一第一圆形底面,该第二结构是凸锥结构,具有一第二顶点及一第二圆形底面,该第一顶点接触该第二顶点,且该第一圆形底面的面积大于该第二圆形底面的面积。
4.如权利要求1所述的用于气相沉积设备的晶圆承载装置,其特征在于,该第一结构是一凸锥结构,该第二结构是一凹锥结构,且该凹锥结构对应该凸锥结构。
5.如权利要求4所述的用于气相沉积设备的晶圆承载装置,其特征在于,该第一结构是圆锥状凸锥结构,具有一第一顶点及一第一圆形底面,该第二结构是圆锥状凹锥结构,具有一第二顶点及一第二圆形底面,该第一顶点接触该第二顶点,且该第一圆形底面的面积小于该第二圆形底面的面积。
6.如权利要求1所述的用于气相沉积设备的晶圆承载装置,其特征在于,该第一结构是以锁固的方式,设置于该支撑架上。
7.如权利要求1所述的用于气相沉积设备的晶圆承载装置,其特征在于,该第二结构是以锁固的方式设置于该晶圆托盘上。
8.如权利要求1所述的用于气相沉积设备的晶圆承载装置,其特征在于,该第一结构的顶端与该第二结构的顶端点接触。
9.如权利要求1所述的用于气相沉积设备的晶圆承载装置,其特征在于,该第一结构与该第二结构线接触。
10.如权利要求1所述的用于气相沉积设备的晶圆承载装置,其特征在于,该第一结构与该第二结构的旋转轴对应至该支撑架的顶面中心及该晶圆托盘的底面中心。
11.如权利要求1所述的用于气相沉积设备的晶圆承载装置,其特征在于,该第一结构的中心剖面的顶端至底端具有一第一斜率,该第二结构的中心剖面的顶端至底端具有一第二斜率,该第一斜率小于该第二斜率。
12.如权利要求1所述的用于气相沉积设备的晶圆承载装置,其特征在于,该第一结构的中心剖面的顶端至底端具有一第一斜率,该第二结构的中心剖面的顶端至底端具有一第二斜率,该第一斜率大于该第二斜率。
13.如权利要求1所述的用于气相沉积设备的晶圆承载装置,其特征在于,该第一结构与该支撑架一体成型。
14.如权利要求1所述的用于气相沉积设备的晶圆承载装置,其特征在于,该第二结构与该晶圆托盘一体成型。
15.如权利要求1所述的用于气相沉积设备的晶圆承载装置,其特征在于,该支撑架与该旋转盘一体成型。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的