[发明专利]垂直半导体器件

权利要求书

1.一种垂直半导体器件，包括：

多个垂直存储单元，在第一基板的上表面上；

粘合层，在所述第一基板的与所述第一基板的所述上表面相反的下表面上；

第二基板，在其上具有第一外围电路；

下绝缘夹层，在所述第二基板上；以及

多个布线结构，电连接所述多个垂直存储单元和所述第一外围电路，

其中所述粘合层的下表面和所述下绝缘夹层的上表面彼此接触。

2.根据权利要求1所述的垂直半导体器件，其中所述第一基板包括单晶半导体材料。

3.根据权利要求1所述的垂直半导体器件，其中所述第一基板包括多晶硅。

4.根据权利要求1所述的垂直半导体器件，其中所述粘合层包括Ga、GaN、铜以及含硅的化合物中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的垂直半导体器件，还包括：

第一绝缘夹层，覆盖在所述第一基板上的所述多个垂直存储单元。

6.根据权利要求5所述的垂直半导体器件，其中每个所述布线结构包括：

多个贯穿通路接触中的一个，穿过至少所述第一绝缘夹层、所述第一基板和所述粘合层，并与所述第一外围电路中的对应一个的下布线接触；和

上布线，电连接到所述多个贯穿通路接触中的所述一个。

7.根据权利要求6所述的垂直半导体器件，还包括：

绝缘间隔物，围绕所述多个贯穿通路接触中的至少一个的侧壁。

8.根据权利要求6所述的垂直半导体器件，还包括：

绝缘图案，围绕所述多个贯穿通路接触中的至少一个的侧壁。

9.根据权利要求6所述的垂直半导体器件，还包括：

绝缘间隔物，围绕所述多个贯穿通路接触中的至少一个的侧壁；和

绝缘图案，围绕所述多个贯穿通路接触中的至少另一个的侧壁。

10.根据权利要求6所述的垂直半导体器件，其中所述多个贯穿通路接触不与所述多个垂直存储单元直接接触。

11.根据权利要求5所述的垂直半导体器件，还包括：

包括绝缘材料的隔离图案，所述隔离图案在所述第一基板中，

其中每个所述布线结构包括：

多个贯穿通路接触中的一个，穿过至少所述第一绝缘夹层、所述隔离图案和所述粘合层，并与所述第一外围电路中的对应一个的下布线接触，和

上布线，电连接到所述多个贯穿通路接触中的所述一个。

12.根据权利要求1所述的垂直半导体器件，其中所述垂直存储单元包括：

第一导电图案，在垂直于所述第一基板的所述上表面的方向上彼此间隔开；和

沟道结构，穿过所述第一导电图案，所述沟道结构电连接到所述第一基板。

13.根据权利要求1所述的垂直半导体器件，还包括：

在所述第一基板和所述粘合层之间的下导电层。

14.根据权利要求1所述的垂直半导体器件，其中

所述第一基板与所述第二基板的上表面重叠，并且

所述粘合层和所述下绝缘夹层在所述第一基板和所述第二基板之间。