[发明专利]一种1N4148W二极管的制造方法

说明书

本发明涉及二极管技术领域,具体涉及一种1N4148W二极管，包括不接触的第一导线以及第二导线，第一导线的末端与第二导线的前端之间设有芯粒，芯粒通过焊锡膏与第一导线及第二导线电连接；第一导线、第二导线以及芯粒外围通过黑胶进行塑封形成封装体，第一导线从封装体一侧引出第一引脚，第二导线从二极管另一侧引出第二引脚。本发明还提供一种1N4148W二极管的制造方法，包括涂覆光刻胶、切割、化学腐蚀、玻璃钝化及镀镍等步骤。本发明提供了一种能快速有效制作1N4148W二极管的方法，利用台面工艺替换原有的平面工艺，不仅提高了良品率，也减少了成本。

技术领域

本发明涉及二极管技术领域,具体涉及一种1N4148W二极管的制造方法。

背景技术

近年来，随着微波器件的飞速发展，对于微波频段的分立器件的开关时间和导通损耗提出了更高的要求。在高频电路中的低压领域，首选器件是具有高开关速度和低通态压降等特点的肖特基二极管以及MPS结构的整流管。由于这两种结构的二极管都基于半导体肖特基势垒的原理进行生产和工作，导致成本相对较高。然而在信号频率较高的电路进行单向导通隔离，通讯、电脑板、电视机电路及工业控制电路中，往往只对二极管的开关速度有严格要求，对导通损耗要求不高，此种条件下，以1N4148为代表的一批高频PN结型二极管逐渐在市场上有了一席之地。

1N4148是一种小型的高速开关二极管，开关比较迅速，广泛用于信号频率较高的电路进行单向导通隔离，通讯、电脑板、电视机电路及工业控制电路。现阶段市面上的1N4148主要有两种封装形式：轴向玻璃封装的1N4148，贴片SOD123-FL封装的1N4148W(以下统称为1N4148)。相比肖特基二极管管芯的制程工艺，1N4148管芯采用平面工艺，通过外延的方法形成PN结，成本较肖特基二极管管芯有了较大的降低。

目前，市场上主流的1N4148产品管芯主要是平面工艺制作，由于平面工艺投入大，回报慢，很多公司并无此种工艺生产线，整个市场也呈现供不应求的态势。

由于平面工艺主要用到的材料为硅和银；同时，平面工艺由于其容错率较低，故而导致不良品率提高，从而产生生产成本的提高。

发明内容

鉴于上述问题，本发明提供了一种成本较低的1N4148W二极管的制造方法。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：

一种1N4148W二极管的制造方法，包括如下步骤：

步骤(1)：制备芯粒，包括以下步骤，

S1：制备P+NN+晶圆，并对其P+型半导体层及N+型半导体层进行铂扩散，分别对所述P+型半导体层及N+型半导体层外表面涂覆光刻胶，并对光刻胶面进行曝光；

S2：利用刀锋宽度20-30μm的金刚石刀片对S1中获得的已涂覆光刻胶的P+型半导体层进行切割出沟槽，切割的沟槽深度应接近P+型半导体层底部而未穿透P+型半导体层；

S3：清除S2中沟槽内剩余的光刻胶以及P+型半导体层和N型半导体层残留物；

S4：将混合酸液倒入沟槽内进行5-7分钟的腐蚀，将沟槽宽度腐蚀至60μm，并腐蚀穿透P+型半导体层后继续腐蚀N型半导体层30μm；混合酸液配比为硫酸：水＝3％：97％；

S5：对S4中所获得的产物进行清洗，洗去混合酸液及残留胶质；

S6：对S5中所获得的芯粒的沟槽内被腐蚀的部位涂覆玻璃粉浆并在500-1000℃的温度下进行烧结，形成钝化玻璃层；

S7：对已形成钝化玻璃层的芯粒的P+型半导体层及N+型半导体层外表面镀镍，使其形成欧姆接触，产生电气性能；

S8：对成型的芯粒进行检测，并筛选出不合格芯粒；