[发明专利]一种1N4148W二极管的制造方法

权利要求书

1.一种1N4148W二极管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤(1)：制备芯粒，包括以下步骤，

S1：制备P+NN+晶圆，并对其P+型半导体层及N+型半导体层进行铂扩散，分别对所述P+型半导体层及N+型半导体层外表面涂覆光刻胶，并对光刻胶面进行曝光；

S2：利用刀锋宽度20-30μm的金刚石刀片对S1中获得的已涂覆光刻胶的P+型半导体层进行切割出沟槽，切割的沟槽深度应接近P+型半导体层底部而未穿透P+型半导体层；

S3：清除S2中沟槽内剩余的光刻胶以及P+型半导体层和N型半导体层残留物；

S4：将混合酸液倒入沟槽内进行5-7分钟的腐蚀，将沟槽宽度腐蚀至60μm，并腐蚀穿透P+型半导体层后继续腐蚀N型半导体层30μm；混合酸液配比为硫酸：水＝3％：97％；

S5：对S4中所获得的产物进行清洗，洗去混合酸液及残留胶质；

S6：对S5中所获得的芯粒的沟槽内被腐蚀的部位涂覆玻璃粉浆并在500-1000℃的温度下进行烧结，形成钝化玻璃层；

S7：对已形成钝化玻璃层的芯粒的P+型半导体层及N+型半导体层外表面镀镍，使其形成欧姆接触，产生电气性能；

S8：对成型的芯粒进行检测，并筛选出不合格芯粒；

S9：对S8产生的合格半成品芯粒进行切割裂片，利用激光切割机沿沟槽靠近P+型半导体层侧边一侧进行切割裂片，形成成品芯粒；

步骤(2)：装片，将前述芯粒在150-300℃的温度下共晶至引线框架上；

步骤(3)：焊接，通过焊锡膏将芯粒导电两端焊接于引线框架的第一导线及第二导线之间形成欧姆连接，使其整体具有导电性；

步骤(4)：模压，利用改性后的环氧塑封料对步骤(3)中所获得的产物进行压制成型，并进行封装，同时第一导线与第二导线预留一段作为第一引脚及第二引脚；

步骤(5)：烘烤，将步骤(4)中获得的产物放入烘箱内进行烘烤，烘烤温度为150-200℃；

步骤(6)：去飞边，利用化学及物理方法将料片在模压烘烤后的飞边去除；

步骤(7)：电镀，在步骤(6)中所获得的产物表面镀锡，使其具有焊接特性；

步骤(8)：成型，将步骤(7)中已完成镀锡的产物按照产品外形图纸进行切断成型，并通过贯机，利用白毛管进行典型测试，印字并包装形成成品。

2.根据权利要求1所述的一种1N4148W二极管的制造方法，其特征在于：所述化学及物理方法为

首先，将步骤(5)中所获得的产物浸入温度为80-120℃的胶皮软化剂内25-35分钟；

其次，将软化后的产物在室温下置于浓度为2-4％硫酸中浸泡40-50分钟；

最后，利用20-34MPa的高压水柱对步骤(5)中所获得的产物进行喷射，时间为2-6分钟。