[发明专利]筛选源漏极是否包边的多晶硅层图形及OPC修正方法

权利要求书

1.一种OPC修正方法，其特征在于，包括：

S1：提供一半导体器件的版图，所述版图包括多个有源区及多个多晶硅区，多晶硅区域与有源区重叠的部分构成栅极图形，并有源区上位于栅极图形两侧的部分分别为半导体器件的源极区域和漏极区域；

S2：对半导体器件的版图进行版图逻辑运算，进而选出源漏极包边的多晶硅层图形及源漏极不包边的多晶硅层图形，其中源漏极包边的多晶硅层图形为由该多晶硅层图形组成的栅极图形在位于该栅极图形两侧的源漏侧的全部区域均与位于同一有源区上的其它栅极图形的多晶硅层图形相邻，则该栅极图形的多晶硅层图形为源漏极包边的多晶硅层图形，否则为源漏极不包边的多晶硅层图形；以及

S3：对由源漏极包边的多晶硅层图形形成的栅极图形和由源漏极不包边的多晶硅层图形形成的栅极图形分别赋予OPC修正值以进行OPC修正。

2.根据权利要求1所述的OPC修正方法，其特征在于，通过对由源漏极包边的多晶硅层图形形成的栅极图形和由源漏极不包边的多晶硅层图形形成的栅极图形分别赋予OPC修正值以进行OPC修正，以使源漏极不包边的多晶硅层图形形成的栅极图形与源漏极包边的多晶硅层图形形成的栅极图形的Idsat比率相匹配。

3.根据权利要求1所述的OPC修正方法，其特征在于，在步骤S3中，对由源漏极包边的多晶硅层图形形成的栅极图形赋予的OPC修正值与对由源漏极不包边的多晶硅层图形形成的栅极图形赋予的OPC修正值不相等。

4.根据权利要求1所述的OPC修正方法，其特征在于，所述半导体器件包括PMOS器件，所述栅极图形为PMOS器件的栅极图形，PMOS器件的栅极图形的多晶硅层图形包括源漏极包边的多晶硅层图形和源漏极不包边的多晶硅层图形。

5.根据权利要求1所述的OPC修正方法，其特征在于，所述半导体器件包括NMOS器件，所述栅极图形为NMOS器件的栅极图形，NMOS器件的栅极图形的多晶硅层图形包括源漏极包边的多晶硅层图形和源漏极不包边的多晶硅层图形。

6.根据权利要求1所述的OPC修正方法，其特征在于，步骤S2还包括：

步骤1：对半导体器件的版图进行版图逻辑运算选出需要修正的多晶硅层图形与有源区组成的栅极图形；

步骤2：对选出的栅极图形的位于源漏侧的边进行多边形化处理，进而得到分别位于源漏侧的多边化图形，并所述多边化图形覆盖相邻两栅极图形之间的区域；

步骤3：判断多边化图形范围内是否均为有源区，若一栅极图形的位于源漏侧的多边化图形范围内均为有源区且该多边形图形包含整根该源漏侧的边，则该栅极图形的多晶硅层图形为包括源漏极包边的多晶硅层图形，若一栅极图形的位于源漏侧的多边化图形范围内不均为有源区或该多边形图形不包含整根该源漏侧的边，则该栅极图形的多晶硅层图形为包括源漏极不包边的多晶硅层图形，进而得到源漏极包边的多晶硅层图形形成的栅极图形和进而得到源漏极不包边的多晶硅层图形形成的栅极图形。

7.根据权利要求6所述的OPC修正方法，其特征在于，所述多边形化处理为矩形化处理。

8.根据权利要求7所述的OPC修正方法，其特征在于，所述矩形化处理为将栅极图形的位于源漏侧的边向栅极图形相反的反向延伸相邻两栅极图形之间的距离，以使多边化图形覆盖相邻两栅极图形之间的区域。

9.根据权利要求6所述的OPC修正方法，其特征在于，步骤3还包括：选出多边化图形范围内不是为有源区的部分，因而选出该部分对应的多晶硅图形的边，而选出源漏极不包边的多晶硅层图形的边，进而选出整根源漏极不包边的多晶硅层图形。

10.根据权利要求6所述的OPC修正方法，其特征在于，在步骤1和步骤2之间还包括选出源极区域和漏极区域。

11.根据权利要求6所述的OPC修正方法，其特征在于，在步骤2中还包括首先在步骤1选出的栅极图形的基础上选出特定间距的栅极图形。