[发明专利]半导体器件可靠性检测方法、装置、计算机设备及介质

说明书

本申请涉及一种半导体器件可靠性检测方法、装置、计算机设备及介质，所述半导体器件可靠性检测方法，包括对同类型的多个半导体器件分别进行参数一致性测试、热性能测试、结构分析测试、工艺适应性测试和耐久性测试，分别得到第一结果数组、第二结果数组、第三结果数组、第四结果数组和第五结果数组。本申请所述半导体器件可靠性检测方法分别对所述半导体器件从参数一致性水平、热性能水平、结构分析水平、工艺适应性水平和耐久性水平五个维度进行测试，检测维度更广。本申请所述半导体器件可靠性检测方法解决了现有技术中存在的目前对于IGBT产品可靠性的评价方法准确度低的技术问题，达到了提高对于IGBT产品可靠性的评价方法准确度的技术效果。

技术领域

本申请涉及电子元器件技术领域，特别是涉及一种半导体器件可靠性检测方法、装置、计算机设备及介质。

背景技术

绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，以下简称IGBT)是一种是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的电压驱动式功率半导体器件。目前国内外有众多IGBT生产厂家，每个厂家均包含不同型号的IGBT产品，每个IGBT产品的规格书中均会明确标示有电特性参数和热性能参数供使用者参考。目前对IGBT产品的可靠性评价主要是以电参数和热性能作为衡量指标，但是，仅以电参数和热性能参数作为衡量IGBT产品可靠性的检验指标所得到的关于IGBT的可靠性仅可以代表被测IGBT个体，无法代表不同IGBT的总体水平，从而导致目前对于IGBT产品可靠性的评价方法准确度低。

发明内容

基于此，有必要针对目前对于IGBT产品可靠性的评价方法准确度低的问题，提供一种半导体器件可靠性检测方法、装置、计算机设备及介质。

一种半导体器件可靠性检测方法，所述方法包括：

对同类型的多个半导体器件分别进行参数一致性测试、热性能测试、结构分析测试、工艺适应性测试和耐久性测试，分别得到第一结果数组、第二结果数组、第三结果数组、第四结果数组和第五结果数组；

分别对所述第一结果数组、所述第二结果数组、所述第三结果数组、所述第四结果数组和所述第五结果数组进行评估打分，确定第一评估分值、第二评估分值、第三评估分值、第四评估分值和第五评估分值；

根据预设加权模型，对所述第一评估分值、所述第二评估分值、所述第三评估分值、所述第四评估分值和所述第五评估分值进行加权计算，得到所述多个半导体器件的标准分值；

根据所述标准分值确定所述多个半导体器件的可靠性。

在其中一个实施例中，所述对同类型的多个半导体器件分别进行参数一致性测试、热性能测试、结构分析测试、工艺适应性测试和耐久性测试，分别得到第一结果数组、第二结果数组、第三结果数组、第四结果数组和第五结果数组，包括：

将所述多个半导体器件分为第一测试组、第二测试组、第三测试组、第四测试组和第五测试组；

对所述第一测试组中的多个所述半导体器件进行所述参数一致性测试，确定所述第一测试组中每个所述半导体器件的一致性表征参数，得到第一结果数组；

对所述第二测试组中的多个所述半导体器件进行所述热性能测试，确定所述第二测试组中每个所述半导体器件的热性能表征参数，得到第二结果数组；

对所述第三测试组中的多个所述半导体器件进行所述结构分析测试，确定所述第三测试组中每个所述半导体器件的结构表征参数，得到第三结果数组；

对所述第四测试组中的多个所述半导体器件进行所述工艺适应性测试，确定所述第四测试组中每个所述半导体器件的工艺适应性表征参数，得到第四结果数组；

对所述第五测试组中的多个所述半导体器件进行所述耐久性测试，确定所述第五测试组中每个所述半导体器件的耐久性表征参数，得到第五结果数组。