[发明专利]半导体器件可靠性检测方法、装置、计算机设备及介质

权利要求书

1.一种半导体器件可靠性检测方法，其特征在于，所述方法包括：

将同类型的多个半导体器件分为第一测试组、第二测试组、第三测试组、第四测试组和第五测试组，分别进行参数一致性测试、热性能测试、结构分析测试、工艺适应性测试和耐久性测试，分别得到第一结果数组、第二结果数组、第三结果数组、第四结果数组和第五结果数组；所述参数一致性指所述多个半导体器件不同个体的参数的分布情况；

分别对所述第一结果数组、所述第二结果数组、所述第三结果数组、所述第四结果数组和所述第五结果数组进行评估打分，确定第一评估分值、第二评估分值、第三评估分值、第四评估分值和第五评估分值；

根据预设加权模型，对所述第一评估分值、所述第二评估分值、所述第三评估分值、所述第四评估分值和所述第五评估分值进行加权计算，得到所述多个半导体器件的标准分值；

根据所述标准分值确定所述多个半导体器件的可靠性；

所述进行参数一致性测试，包括：

对所述第一测试组中的多个所述半导体器件进行参数一致性测试，确定所述第一测试组中每个所述半导体器件的一致性表征参数，得到第一结果数组；

所述对所述第一测试组中的多个所述半导体器件进行参数一致性测试，确定所述第一测试组中每个所述半导体器件的一致性表征参数，得到第一结果数组，包括：

将所述第一测试组中的多个所述半导体器件分为第一子测试组、第二子测试组、第三子测试组和第四子测试组；

分别对所述第一子测试组、所述第二子测试组、所述第三子测试组和所述第四子测试组进行漏电流测试、芯片粘接空洞测试、击穿电压测试和静电耐量测试，得到所述第一子测试组的漏电流均值、所述第二子测试组的多个粘接空洞率、所述第三子测试组的多个击穿电压和所述第四子测试组的多个抗静电能力；

根据所述漏电流均值、所述多个粘接空洞率、所述多个击穿电压和所述多个抗静电能力确定所述第一结果数组。

2.根据权利要求1所述的半导体器件可靠性检测方法，其特征在于，所述分别进行参数一致性测试、热性能测试、结构分析测试、工艺适应性测试和耐久性测试，分别得到第一结果数组、第二结果数组、第三结果数组、第四结果数组和第五结果数组，包括：

对所述第二测试组中的多个所述半导体器件进行所述热性能测试，确定所述第二测试组中每个所述半导体器件的热性能表征参数，得到第二结果数组；

对所述第三测试组中的多个所述半导体器件进行所述结构分析测试，确定所述第三测试组中每个所述半导体器件的结构表征参数，得到第三结果数组；

对所述第四测试组中的多个所述半导体器件进行所述工艺适应性测试，确定所述第四测试组中每个所述半导体器件的工艺适应性表征参数，得到第四结果数组；

对所述第五测试组中的多个所述半导体器件进行所述耐久性测试，确定所述第五测试组中每个所述半导体器件的耐久性表征参数，得到第五结果数组。

3.根据权利要求2所述的半导体器件可靠性检测方法，其特征在于，所述对所述第二测试组中的多个所述半导体器件进行热性能测试，确定所述第二测试组中每个所述半导体器件的热性能表征参数，得到第二结果数组，包括：

对所述第二测试组中的多个所述半导体器件进行热性能测试，得到热阻系数均值、引线截面电流密度均值、晶圆功率密度均值和封装功率密度均值；

根据所述热阻系数均值、所述引线截面电流密度均值、所述晶圆功率密度均值和所述封装功率密度均值确定所述第二结果数组。

4.根据权利要求2所述的半导体器件可靠性检测方法，其特征在于，所述对所述第五测试组中的多个所述半导体器件进行耐久性测试，确定所述第五测试组中每个所述半导体器件的耐久性表征参数，得到第五结果数组，包括：

将所述第五测试组中的多个所述半导体器件分为第五子测试组、第六子测试组和第七子测试组；

分别对所述第五子测试组、所述第六子测试组和所述第七子测试组进行高温反偏测试、无偏高压蒸汽压测试和功率温度循环测试，得到所述第五子测试组的平均漂移率、所述第六子测试组的第一失效率和所述第七子测试组的第二失效率；

根据所述平均漂移率、所述第一失效率和所述第二失效率确定所述第五结果数组。