[发明专利]承载装置、半导体设备及残余电荷的检测方法

说明书

本发明公开一种承载装置、半导体设备及残余电荷的检测方法，所公开的承载装置用于半导体设备中承载晶圆(400)，包括环状基部(100)、静电承载盘(200)和至少三个定位件(300)，静电承载盘(200)包括用于承载晶圆(400)的承载面(210)，环状基部(100)环绕承载面(210)设置，至少三个定位件(300)间隔设置于环状基部(100)，定位件(300)包括锥形段(310)，在锥形段(310)凸出于承载面(210)的情况下，至少三个锥形段(310)形成限位空间，限位空间的开口尺寸向着远离承载面(210)的方向递增。上述方案能够解决因晶圆除电不完全而导致晶圆的位置偏移较大的问题。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种承载装置、半导体设备及残余电荷的检测方法。

背景技术

微电子器件的制造包含许多不同的阶段，每一阶段又包含各种不同的制程，刻蚀是其中重要的制程之一。刻蚀过程主要包含将等离子体引到晶圆的(待刻蚀材料，如硅)表面，通过物理和化学作用腐蚀晶圆表面，进而在晶圆上形成所需要的各种线条、孔洞、沟槽或其他形状。

在当前晶圆的生产过程中，每片晶圆加工完成后，均需要对其进行除电操作，一般的除电操作是在半导体设备中的电极上加反向电压、通气启辉，或者二者兼有，在除电操作完成后，半导体设备的顶针将晶圆顶起。上述生产过程存在对晶圆除电不完全的情况，从而导致晶圆以及半导体设备中的静电卡盘上会存有残余电荷，当顶针将晶圆顶起时，晶圆上的残余电荷会与静电卡盘上的残余电荷产生局部吸附的作用，进而导致晶圆的位置产生较大的偏移，最终会影响对晶圆的正常取出。

发明内容

本发明公开一种承载装置、半导体设备及残余电荷的检测方法，以解决因晶圆除电不完全而导致晶圆的位置偏移较大的问题。

为了解决上述问题，本发明采用下述技术方案：

一种承载装置，用于半导体设备中承载晶圆，所述承载装置包括环状基部、静电承载盘和至少三个定位件，所述静电承载盘包括用于承载所述晶圆的承载面，所述环状基部环绕所述承载面设置，至少三个所述定位件间隔设置于所述环状基部，所述定位件包括锥形段，在所述锥形段凸出于所述承载面的情况下，至少三个所述锥形段形成限位空间，所述限位空间的开口尺寸向着远离所述承载面的方向递增。

一种半导体设备，包括反应腔室，所述反应腔室中设置有上述的承载装置。

一种残余电荷的检测方法，适用于上述半导体设备，所述方法包括：

S110、对所述半导体设备进行启辉；

S120、在经过启辉后的所述半导体设备中的电极上施加反向电压；

S130、向所述半导体设备的反应腔室中通入气压为预设气压、流量为第一流量的氦气；

S140、检测所述氦气的当前流量；

S150、在所述当前流量与第一流量的比值大于或等于第一预设值情况下，停止氦气的通入。

本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果：

本发明实施例公开的承载装置以及半导体设备中，静电承载盘包括用于支撑晶圆的承载面，且至少三个定位件间隔设置于环状基部，在定位件的锥形段凸出于承载面的情况下，至少三个锥形段能够形成限位空间，该限位空间的开口尺寸向着远离承载面的方向递增。该限位空间能够在上下料过程中对晶圆进行限位，即使晶圆上存在有残余电荷，导致晶圆的位置发生偏移，该限位空间也能够对晶圆的位置进行校正，从而使得晶圆的位置始终能够在较小的范围内，能够避免因晶圆的位置发生较大的偏移，而导致晶圆较难或无法顺利地从半导体设备的反应腔中取出的问题，进而能够解决因晶圆除电不完全而导致晶圆的位置偏移较大的问题。