[发明专利]一种等离子体处理装置在审
申请号: | 202010187524.1 | 申请日: | 2020-03-17 |
公开(公告)号: | CN113410113A | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 陈煌琳;吴狄;毛杰 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人: | 徐雯琼;张静洁 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 等离子体 处理 装置 | ||
本发明公开了一种等离子体处理装置,包括处理模块及前端模块,处理模块包括反应腔、设置在反应腔上端口的反应腔窗体、盖设于反应腔窗体上的反应腔盖体,反应腔盖体与反应腔窗体之间形成有内部空间,反应腔的下方设置有基座,基座上方为等离子体处理区域;前端模块包括洁净腔、设置在洁净腔上端口的洁净腔窗体、盖设于洁净腔窗体上的洁净腔盖体,洁净腔盖体与洁净腔窗体之间形成有容设空间,洁净腔的下方设置有承载台,承载台的上方设置有风机过滤单元;进一步包括气体调节器,气体调节器的一端通过气体管道连接于处理模块的内部空间以向其内输送冷气,气体调节器的另一端通过气体管道连接于前端模块的容设空间以向其内输送热气。
技术领域
本发明涉及等离子体刻蚀技术领域,尤其涉及一种用于对处理模块上腔室进行控温同时对前端模块中的气体进行加热干燥的等离子体处理装置。
背景技术
在等离子体刻蚀技术领域,通常提供一种等离子体处理装置,包括处理模块及前端模块,处理模块用于产生等离子体并对基片进行刻蚀,在对基片进行刻蚀前后,均会通过机械手将基片放置于前端模块内,前端模块通过化学过滤器等提供被洁净的气体,从而维持高清洁度的洁净气体的洁净腔,从而使在搬运中的基片的表面不会产生因微粒等附着所产生的污染。
处理模块包括反应腔、设置在反应腔上端口的反应腔窗体、盖设于反应腔窗体上的反应腔盖体,反应腔盖体与反应腔窗体之间形成有内部空间,反应腔的下方设置有基座;前端模块包括洁净腔、设置在洁净腔上端口的洁净腔窗体、盖设于洁净腔窗体上的洁净腔盖体,洁净腔盖体与洁净腔窗体之间形成有容设空间,洁净腔的下方设置有承载台,承载台的上方设置有风机过滤单元,用以过滤洁净腔内气体。
在等离子体刻蚀过程中,为防止反应腔窗体上沉积聚合物而在反应腔窗体上设置有加热器,加热器加热反应腔窗体而避免在反应腔窗体上沉积聚合物,从而避免污染腔室环境,影响基片的刻蚀效果。但是在等离子体刻蚀过程中,等离子体轰击产生的能量也会使反应腔窗体的温度上升,从而使得反应腔窗体的温度处于不断上升的状态,而难以达到在维持刻蚀所需要的高温的情况下并且温度稳定。另外,在前端模块中,风机过滤单元循环过滤气体并向基片上吹气,但是气体中含有一定的水分,而对基片产生不良影响。
因此,需要开发一种新的等离子体处理装置,其可对处理模块上腔室进行控温同时对前端模块中的气体进行加热干燥。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种等离子体处理装置,通过设置的气体调节器来降低处理模块上腔室温度并保持相对稳定,同时对前端模块中的气体进行加热干燥防止水气的生成。
为实现上述目的,本发明提供一种等离子体处理装置,包括处理模块及前端模块,所述处理模块包括反应腔、设置在反应腔上端口的反应腔窗体、盖设于反应腔窗体上的反应腔盖体,所述反应腔盖体与反应腔窗体之间形成有内部空间,所述反应腔的下方设置有基座,用以承载待处理基片,所述基座上方为等离子体处理区域;
所述前端模块包括洁净腔、设置在洁净腔上端口的洁净腔窗体、盖设于洁净腔窗体上的洁净腔盖体,所述洁净腔盖体与洁净腔窗体之间形成有容设空间,所述洁净腔的下方设置有承载台,用以承载基片,所述承载台的上方设置有风机过滤单元,用以过滤洁净腔内气体;
所述等离子体处理装置进一步包括气体调节器,所述气体调节器的一端通过气体管道连接于处理模块的内部空间以向其内输送冷气,所述气体调节器的另一端通过气体管道连接于前端模块的容设空间以向其内输送热气。
可选的,所述气体调节器包括压缩机及冷凝器,所述压缩机用于将气态的冷媒压缩为高温高压的气态冷媒,并送到所述冷凝器散热后冷凝成为高压的液态冷媒,所述冷凝器用于向所述前端模块的容设空间内输送热气。
可选的,所述气体调节器进一步包括蒸发器,所述液态冷媒进入所述蒸发器气化吸热,所述蒸发器用于向所述处理模块的内部空间内输送冷气。
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