[发明专利]化学机械研磨方法

说明书

本发明提供一种化学机械研磨方法，包括：提供研磨垫和待研磨晶圆；在所述研磨垫上对所述待研磨晶圆进行第一次研磨；将第一次研磨后的晶圆移出所述研磨垫的表面；对所述研磨垫进行清洗，去除所述第一次研磨的残留物；在清洗后的研磨垫上对所述第一次研磨后的晶圆进行第二次研磨。这样研磨方法将研磨垫上残留的第一次研磨的残留物都去除掉，保证在第二次研磨的时候，研磨垫上没有第一次研磨的残留物，避免了第一次研磨的残留物对第二次研磨时晶圆表面的损伤，提高了晶圆研磨的质量。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种化学机械研磨方法。

背景技术

在半导体工艺中，于晶圆上加工制作各种电路元件结构，而使晶圆成为有特定电性功能之IC产品。对于计算机产品而言，晶圆的品质影响着整个计算机的性能。

目前，在半导体产品制造过程中，晶圆是当前集成电路的基础半成品，晶圆加工处理的好坏直接影响半导体成品的质量。在晶圆的加工过程中，需要对晶圆表面进行研磨，从而去除晶圆表面的标记残留或者是边缘残留等。

化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，CMP)工艺为一种重要的表面平坦化技术。化学机械研磨工艺综合了化学研磨和机械研磨的优势，可以保证晶圆表面残留的去除效率，同时获得较完美的晶圆表面，且晶圆表面平整度较高。

如何基于化学机械研磨方法去除晶圆表面的标记残留或者边缘残留，不在晶圆上留下缺陷，以保证晶圆表面的平整度以及晶圆表面残留的去除效率，这是目前急需解决的问题。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种化学机械研磨方法，避免通过化学机械研磨后仍在晶圆表面留有标记残留或者边缘残留，以保证晶圆表面的清洁度和平整度。

为解决上述问题，本发明提供化学机械研磨方法，包括：提供研磨垫和待研磨晶圆；在所述研磨垫上对所述待研磨晶圆进行第一次研磨；将第一次研磨后的晶圆移出所述研磨垫的表面；对所述研磨垫进行清洗，去除所述第一次研磨的残留物；在清洗后的研磨垫上对所述第一次研磨后的晶圆进行第二次研磨。

可选的，还包括研磨头，所述待研磨晶圆装载在所述研磨头上。

可选的，所述第一次研磨的方法包括：驱动所述研磨头，所述研磨头带动所述待研磨晶圆在所述研磨垫上进行研磨，在研磨过程中，向所述研磨垫上加入第一研磨液。

可选的，还包括：引流槽，向所述研磨垫上加入第一研磨液的方法包括：通过所述引流槽向所述研磨垫上输送所述第一研磨液。

可选的，所述第一研磨液包括化学研磨液；所述化学研磨液包括双氧水、研磨颗粒，所述第一研磨液的流速为200毫升/分钟至400毫升/分钟。

可选的，所述第一次研磨的残留物包括所述第一研磨液。

可选的，在对所述研磨垫进行清洗，去除所述第一次研磨的残留物后，在进行所述第二次研磨之前，还包括：对所述研磨垫上的所述第一研磨的残留物进行检测。

可选的，所述第一次研磨中，所述研磨头与所述研磨垫之间的压力为1psi至2psi，所述研磨头的转速为30rpm至100rpm，所述研磨头的运动时间为50秒至200秒。

可选的，对所述研磨垫进行清洗的步骤中，清洗所述研磨垫采用的清洗液为纯水、所述清洗液的流速为300毫升/分钟至500毫升/分钟、清洗时间为5秒至15秒。

可选的，所述第二次研磨的方法包括：驱动所述研磨头，所述研磨头带动所述第一次研磨后的晶圆在清洗后的研磨垫上进行研磨，在研磨过程中，向清洗后的研磨垫上加入第二研磨液。

可选的，所述第二研磨液包括水，所述第二研磨液的流速为200毫升/分钟至400毫升/分钟。