[发明专利]化学机械研磨方法在审
| 申请号: | 202010181902.5 | 申请日: | 2020-03-16 |
| 公开(公告)号: | CN113400188A | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
| 发明(设计)人: | 郑祖迪;吴玉萍;杨培林;邵群 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号: | B24B37/20 | 分类号: | B24B37/20;B24B37/30;B24B37/34;B24B55/06 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 吴敏 |
| 地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 化学 机械 研磨 方法 | ||
1.一种化学机械研磨方法,其特征在于,包括步骤:
提供研磨垫和待研磨晶圆;
在所述研磨垫上对所述待研磨晶圆进行第一次研磨;
将第一次研磨后的晶圆移出所述研磨垫的表面;
对所述研磨垫进行清洗,去除所述第一次研磨的残留物;
在清洗后的研磨垫上对所述第一次研磨后的晶圆进行第二次研磨。
2.如权利要求1所述化学机械研磨方法,其特征在于,还包括研磨头,所述待研磨晶圆装载在所述研磨头上。
3.如权利要求2所述化学机械研磨方法,其特征在于,所述第一次研磨的方法包括:驱动所述研磨头,所述研磨头带动所述待研磨晶圆在所述研磨垫上进行研磨,在研磨过程中,向所述研磨垫上加入第一研磨液。
4.如权利要求2所述化学机械研磨方法,其特征在于,还包括:引流槽,向所述研磨垫上加入第一研磨液的方法包括:通过所述引流槽向所述研磨垫上输送所述第一研磨液。
5.如权利要求3所述化学机械研磨方法,其特征在于,所述第一研磨液包括化学研磨液;所述化学研磨液包括双氧水、研磨颗粒,所述第一研磨液的流速为200毫升/分钟至400毫升/分钟。
6.如权利要求3所述化学机械研磨方法,其特征在于,所述第一次研磨的残留物包括所述第一研磨液。
7.如权利要求1所述化学机械研磨方法,其特征在于,在对所述研磨垫进行清洗,去除所述第一次研磨的残留物后,在进行所述第二次研磨之前,还包括:对所述研磨垫上的所述第一研磨的残留物进行检测。
8.如权利要求2所述化学机械研磨方法,其特征在于,所述第一次研磨中,所述研磨头与所述研磨垫之间的压力为1psi至2psi,所述研磨头的转速为30rpm至100rpm,所述研磨头的运动时间为50秒至200秒。
9.如权利要求1所述化学机械研磨方法,其特征在于,对所述研磨垫进行清洗的步骤中,清洗所述研磨垫采用的清洗液为纯水、所述清洗液的流速为300毫升/分钟至500毫升/分钟、清洗时间为5秒至15秒。
10.如权利要求2所述化学机械研磨方法,其特征在于,所述第二次研磨的方法包括:驱动所述研磨头,所述研磨头带动所述第一次研磨后的晶圆在清洗后的研磨垫上进行研磨,在研磨过程中,向清洗后的研磨垫上加入第二研磨液。
11.如权利要求10所述化学机械研磨方法,其特征在于,所述第二研磨液包括水,所述第二研磨液的流速为200毫升/分钟至400毫升/分钟。
12.如权利要求2所述化学机械研磨方法,其特征在于,所述第二次研磨中,所述研磨头与所述研磨垫之间的压力为0psi至1psi,所述研磨头的转速为30rpm至80rpm,所述研磨头的运动时间为5秒至15秒。
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