[发明专利]研磨用组合物和研磨方法

说明书

本发明涉及研磨用组合物和研磨方法。本发明的研磨用组合物含有：二氧化硅颗粒；针对包含具有硅‑硅键的硅材料的研磨对象物的研磨速度调节剂；和，生物杀灭剂，前述生物杀灭剂由碳原子、氢原子和氧原子构成。

技术领域

本发明涉及研磨用组合物和研磨方法。

背景技术

近年来，随着半导体基板表面的多层布线化，制造器件时，利用有对半导体基板进行研磨而平坦化的、所谓化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing；CMP)技术。CMP为如下方法：用包含二氧化硅、氧化铝、氧化铈等磨粒、防腐蚀剂、表面活性剂等的研磨用组合物(浆料)，使半导体基板等研磨对象物(被研磨物)的表面平坦化，研磨对象物(被研磨物)为硅、多晶硅、硅氧化膜(氧化硅)、硅氮化物、由金属等形成的布线、插头等。

这样的研磨用组合物有时会促进活菌的繁殖，使保存稳定性降低。从确保该保存稳定性的观点出发，例如日本特开2007-88379号公报(相当于美国专利申请公开第2007/069176号说明书)中提出了一种研磨用组合物，其特征在于，含有：(a)表面的一部分用铝原子所覆盖的胶体二氧化硅；和，(b)具有至少一种以上的异噻唑啉-3-酮骨架的化合物。

发明内容

然而，可知，将上述日本特开2007-88379号公报(相当于美国专利申请公开第2007/069176号说明书)中记载的技术用于包含多晶硅等具有硅-硅键的硅材料的研磨对象物的情况下，存在会改变研磨用组合物原本所具有的对研磨对象物的研磨性能的问题。

因此，本发明的目的在于，提供如下方案：抑制活菌的繁殖，具有优异的保存稳定性，且能维持对包含具有硅-硅键的硅材料的研磨对象物的原本的研磨性能。

为了解决上述课题，本发明人等反复进行了深入研究。其结果发现：通过研磨用组合物可以解决上述课题，所述研磨用组合物含有：二氧化硅颗粒；针对包含具有硅-硅键的硅材料的研磨对象物的研磨速度调节剂；和，生物杀灭剂，前述生物杀灭剂由碳原子、氢原子和氧原子构成，至此完成了本发明。

具体实施方式

以下，对本发明的实施方式进行说明。需要说明的是，本发明不仅限定于以下的实施方式。另外，本说明书中，只要没有特别说明，操作和物性等的测定是在室温(20℃以上且25℃以下)/相对湿度40％RH以上且50％RH以下的条件下进行的。

本发明的一方式的研磨用组合物含有：二氧化硅颗粒；针对包含具有硅-硅键的硅材料的研磨对象物的研磨速度调节剂；和，生物杀灭剂，前述生物杀灭剂由碳原子、氢原子和氧原子构成。通过具有这样的构成，从而成为如下研磨用组合物：抑制活菌的繁殖，具有优异的保存稳定性，且能维持对包含具有硅-硅键的硅材料的研磨对象物的原本的研磨性能。

＜研磨对象物＞

本发明的研磨对象物包含具有硅-硅键的硅材料。作为具有硅-硅键的硅材料，例如可以举出多晶硅(Poly-Si)、非晶硅、单晶硅、n型掺杂单晶硅、p型掺杂单晶硅、SiGe等Si系合金等。它们之中，优选多晶硅。

该研磨对象物可以还包含具有硅-硅键的硅材料以外的其他材料。作为其他材料的例子，例如可以举出氧化硅、氮化硅、碳氮化硅(SiCN)、金属等。

[二氧化硅颗粒]

本发明的一实施方式的研磨用组合物含有二氧化硅颗粒作为磨粒。磨粒具有对研磨对象物以机械的方式进行研磨的作用。