[发明专利]一种晶片承片台在审
| 申请号: | 202010176866.3 | 申请日: | 2020-03-13 |
| 公开(公告)号: | CN111403328A | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
| 发明(设计)人: | 傅立超;魏子尧 | 申请(专利权)人: | 宁波润华全芯微电子设备有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司: | 宁波高新区永创智诚专利代理事务所(普通合伙) 33264 | 代理人: | 钱照建 |
| 地址: | 315400 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 晶片 承片台 | ||
本发明公开了一种晶片承片台,涉及半导体加工领域;真空电机、承片台和吸盘;吸盘为陶瓷材质,且吸盘上均布有若干贯穿孔;吸盘固定于承片台上,真空电机和承片台固定,承片台上设有气道,气道与贯穿孔之间实现空气联通;真空电机用于将气道内的空气抽真空;当真空电机对气道抽真空时,外界空气通过贯穿孔进入气道内再由真空电机抽出,使每个贯穿孔具有吸附力。
技术领域
本发明涉及半导体加工领域,尤其涉及一种晶片承片台。
背景技术
在半导体工业中,需要旋转加工的时候所使用的承片台,当工艺要求,产品形状为方片,且产品为薄片时,需要晶片与承片台全部接触。
如中国实用新型专利CN110556327A所公开的一种晶片吸盘包括吸盘本体及多个密封环。吸盘本体包括承载表面及设置在所述承载表面上的至少一个真空孔,所述承载表面被配置成承载晶片。承载表面的直径对晶片的直径的比率大体上等于或大于45%且大体上等于或小于90%。密封环设置在承载表面上且被配置成在实体上接触晶片。密封环环绕真空孔。
上述现有技术的晶片承片台附性能弱,不能对晶片进行平整的吸附。
发明内容
一、要解决的技术问题
本发明的目的是针对现有技术所存在的上述问题,特提供一种晶片承片台,解决现有技术的晶片承片台附性能弱,不能形成对晶片进行平整的吸附问题。
二、技术方案
为解决上述技术问题,本发明提供一种晶片承片台,包括:真空电机、承片台和吸盘;
吸盘为陶瓷材质,且吸盘上均布有若干贯穿孔;
吸盘固定于承片台上,真空电机和承片台固定,承片台上设有气道,气道与贯穿孔之间实现空气联通;真空电机用于将气道内的空气抽出;
当真空电机对气道抽真空时,外界空气通过贯穿孔进入气道内再由真空电机抽出,使每个贯穿孔具有吸附力。
其中,承片台为PEEK材质。
其中,真空电机与承片台之间通过螺钉固定。
其中,承片台上设有溢流槽,溢流槽用于收集液体。
三、本发明的有益效果
与现有技术相比,本发明的晶片承片台具有如下有益效果;
通过陶瓷吸盘的设计,使吸盘的平整度更高,吸盘与晶片可以更好的贴合。
通过溢流槽的设计,使晶片表面的加工液可以流入溢流槽内,有效的避免多余的加工液污染晶片表面。
附图说明
图1为本发明的晶片承片台的爆炸图;
图2为本发明的晶片承片台的全剖示图;
图3为本发明的晶片承片台的局部放大图;
图中:1为真空电机;2为承片台;3为吸盘;21为溢流槽。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不能用来限制本发明的范围。
实施例一、
本实施例的晶片承片台的结构如图1至3所示包括:真空电机1、承片台2和吸盘3;
吸盘3为陶瓷材质,且吸盘3上均布有若干贯穿孔;
承片台2为PEEK材质与吸盘3精密配合固定,,真空电机1通过螺钉和承片台2固定,承片台2上设有气道,气道与贯穿孔之间实现空气联通;真空电机1用于将气道内的空气抽出;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





