[发明专利]植球结构及制备工艺

说明书

本发明提供一种植球结构及制备工艺，包括依序叠置的基板、导电层、钝化层、种子层及金属层，多个焊球分别植入所述金属层上，任意相邻的焊球之间设有挡墙，所述挡球用于防止所述焊球之间相互桥接。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造工艺，特别涉及一种小间距植球结构及植球工艺。

背景技术

球栅阵列(Ball Grid Array，简称BGA)封装技术为应用在集成电路上的一种表面黏着技术，其在封装体基板的底部制作阵列，焊球作为电路的I/O端与印刷线路板(PCB)互接，具有成品率高、引脚数量大、设备简单等优势。

为了缩小晶圆级IC及封装的尺寸，焊球在芯片表面的分布趋势朝向小尺寸、密集型转变。目前，焊球之间的业界极限Gap(距离)约为40um，当焊球之间的距离不断缩减的时候，由于助焊剂在高温下产生流动，加之分子引力，造成球与球之间的桥接，进而对器件产生一系列不良影响，这些不良影响主要导致成品良率降低及可能造成短路电信面的影响。

因此，针对上述技术问题，有必要对植球结构以及封装工艺进行改进，以防止焊球之间间距缩小以及助焊剂流动出现“桥接”的现象。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是克服因焊球之间间距缩小以及因助焊剂流动焊球之间出现“桥接”的问题，提高芯片封装工艺的成品良率，降低封装成本。

本发明提供一种植球结构，包括依序叠置的基板、导电层、钝化层、种子层及金属层，多个焊球分别植入所述金属层上，任意相邻的焊球之间设有挡墙，所述挡球用于防止所述焊球之间相互桥接。

作为可选的技术方案，所述挡墙设置于所述钝化层上，且自所述钝化层上凸出。

作为可选的技术方案，还包括介电层，所述介电层设置于所述钝化层上，所述挡墙设置于所述介电层上，且自所述介电层上凸出。

作为可选的技术方案，所述挡墙为采用介电材料形成的挡墙。

作为可选的技术方案，所述介电材料为聚酰亚胺。

作为可选的技术方案，所述挡墙在植球间的截面为梯形结构、三角形结构或者矩形结构。

作为可选的技术方案，所述挡墙在植球间的截面为上窄下宽的结构。

作为可选的技术方案，所述基板为一芯片结构。

本发明还提供一种植球结构的制备工艺，所述制备工艺包括：

步骤S1，提供基板，于所述基板上依次形成种子层以及金属层；

步骤S2，涂布介电材料于所述金属层上，所述介电材料整面覆盖所述基板；

步骤S3，对所述介电材料进行曝光、显影及固化后形成挡墙；

步骤S4，涂布助焊剂于所述金属层上；以及

步骤S5，于所述金属层上植入多个焊球；

其中，所述挡墙位于任意相邻的所述焊球之间。

本发明另提供一种植球结构的制备工艺，所述制备工艺包括：

步骤S1，提供基板，于所述基板上依次形成介电层、金属层；

步骤S2，涂布介电材料于所述金属层上，所述介电材料整面覆盖所述基板；

步骤S3，对所述介电材料进行曝光、显影及固化后形成挡墙；

步骤S4，涂布助焊剂于所述金属层上；以及

步骤S5，于所述金属层上植入多个焊球；

其中，所述挡墙位于任意相邻的所述焊球之间。