[发明专利]植球结构及制备工艺在审
| 申请号： | 202010175541.3 | 申请日： | 2020-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN111341746A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 梅嬿 | 申请（专利权）人： | 颀中科技（苏州）有限公司;北京奕斯伟科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/48 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 常伟 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结构 制备 工艺 | ||
1.一种植球结构，包括依序叠置的基板、导电层、钝化层、种子层及金属层，多个焊球分别植入所述金属层上，其特征在于，
任意相邻的焊球之间设有挡墙，所述挡球用于防止所述焊球之间相互桥接。
2.如权利要求1所述的植球结构，其特征在于，所述挡墙设置于所述钝化层上，且自所述钝化层上凸出。
3.如权利要求1所述的植球结构，其特征在于，还包括介电层，所述介电层设置于所述钝化层上，所述挡墙设置于所述介电层上，且自所述介电层上凸出。
4.如权利要求1所述的植球结构，其特征在于，所述挡墙为采用介电材料形成的挡墙。
5.如权利要求4所述的植球结构，其特征在于，所述介电材料为聚酰亚胺。
6.如权利要求1所述的植球结构，其特征在于，所述挡墙在植球间的截面为梯形结构、三角形结构或者矩形结构。
7.如权利要求1所述的植球结构，其特征在于，所述挡墙在植球间的截面为上窄下宽的结构。
8.如权利要求1所述的植球结构，其特征在于，所述基板为一芯片结构。
9.一种植球结构的制备工艺，其特征在于，所述制备工艺包括：
步骤S1，提供基板，于所述基板上依次形成种子层以及金属层；
步骤S2，涂布介电材料于所述金属层上，所述介电材料整面覆盖所述基板；
步骤S3，对所述介电材料进行曝光、显影及固化后形成挡墙；
步骤S4，涂布助焊剂于所述金属层上；以及
步骤S5，于所述金属层上植入多个焊球；
其中，所述挡墙位于任意相邻的所述焊球之间。
10.一种植球结构的制备工艺，其特征在于，所述制备工艺包括：
步骤S1，提供基板，于所述基板上形成介电层、金属层；
步骤S2，涂布介电材料于所述金属层上，所述介电材料整面覆盖所述基板；
步骤S3，对所述介电材料进行曝光、显影及固化后形成挡墙；
步骤S4，涂布助焊剂于所述金属层上；以及
步骤S5，于所述金属层上植入多个焊球；
其中，所述挡墙位于任意相邻的所述焊球之间。
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