[发明专利]一种新型环保硅晶片清洗试剂及其制备方法及其应用

说明书

一种新型环保硅晶片清洗试剂及其制备方法及其应用，包括如下质量浓度的物质：氢氧化钾0.2‑1.0g/L；硅酸钠0.1‑0.8g/L；焦磷酸钾0.1‑1.0g/L；络合剂0.01‑0.1g/L；渗透剂0.05‑0.5g/L；乳化剂0.05‑0.5g/L；余量为蒸馏水。本发明的配方中不含有任何有机溶剂和氟离子表面活性剂，本发明所制备的清洗试剂特别适用于单晶硅、多晶硅等硅晶片的清洗，清洗表面均匀光洁，无任何花斑、砂粒、研磨料、金属离子及指纹等残留，通过滤纸擦拭，无任何硅粉等物质残留，能极好的满足客户生产需求，且该工艺环保，生产过程无任何有机溶剂添加，产品环保无污染。

技术领域

本发明属于硅晶片清洗领域领域，具体地说是一种新型环保硅晶片清洗试剂及其制备方法及其应用。

背景技术

随着大规模集成电路的发展，集成度的不断提高，线宽的不断减小，对硅片的质量要求越来越高，特别是对硅抛光片的表面质量要求越来越严。这主要是因为抛光片表面的颗粒和金属杂质沾污会严重影响器件的质量和成品率。在硅晶体管和集成电路生产中，几乎每道工序都有硅片清洗的问题，硅片的好坏对器件性能有很严重的影响，处理不当，可能使硅片全部报废，做不出合格的产品，或者制造出来的产品性能低劣，稳定性和可靠性很差。

从硅材料到可使用的硅片要经过切片、倒角、研磨、表面处理、抛光、外延等不同工序，硅片加工采用多线切割技术，此过程中碳化硅磨料切割硅片，会在硅片表面形成砂粒、残留的切削磨料、指纹和金属离子污染。清洗的目的就是为了去除硅片表面颗粒、金属离子以及有机物等污染，使硅片表面达到无腐蚀氧化、无残留等技术指标。金属离子污染如铜、铁、锌等的残留会影响硅片表面后续氧化生成的栅极薄膜的质量，进而造成组件易漏电、成品率低、可靠性差。硅晶片表面氧化、指纹沾污也会影响光电转换效率。

传统清洗液，大多采用盐酸进行清洗，盐酸为强腐蚀性物质且气味大，使用过后的废液很难处理，导致环境污染，且只对硅晶片表面的金属离子和氧化层有一定效果，对颗粒物和有机成分去除效果差。

目前，市面上存在较多的为强碱液清洗剂，清洗效果较盐酸有明显改善，对颗粒物和有机成分有较好去除作用，但整体去除效果仍不能完全达到客户需求，而且用量过大，清洗效率低，废水排放加大。并且为了使表面活性剂能较好的分散在碱液中，引入了较大量的有机溶剂如乙醇、乙二醇、乙二醇丁醚、二乙二醇丁醚等，进行助溶和协助清洗，因此在生产过程中产生较大气味，有机溶剂排放会污染环境。

发明内容

本发明提供一种新型环保硅晶片清洗试剂及其制备方法及其应用，用以解决现有技术中的缺陷。

本发明通过以下技术方案予以实现：

一种新型环保硅晶片清洗试剂，包括如下质量浓度的物质：

氢氧化钾 0.2-1.0g/L；

硅酸钠 0.1-0.8g/L；

焦磷酸钾 0.1-1.0g/L；

络合剂 0.01-0.1g/L；

渗透剂 0.05-0.5g/L；

乳化剂 0.05-0.5g/L；

余量为蒸馏水。

如上所述的一种新型环保硅晶片清洗试剂，包括如下质量浓度的物质：

氢氧化钾 0.4-0.6g/L；

硅酸钠 0.2-0.5g/L；