[发明专利]半导体集成电路

权利要求书

1.一种半导体集成电路，是高电位侧电路区、包围该高电位侧电路区的高耐压结终端构造以及隔着该高耐压结终端构造包围所述高电位侧电路区的低电位侧电路区集成于同一半导体芯片的半导体集成电路，所述半导体集成电路的特征在于，具备：

第一导电型的中央阱区，其配置于所述高电位侧电路区；

第一导电型的埋入层，其埋入于所述中央阱区的下端；

第一导电型的环状的漂移区，其配置于所述高耐压结终端构造的包围所述中央阱区的周围的位置；

第二导电型的环状阱区，其包围所述漂移区的周围；

第一导电型的载体供给区，其配置于所述环状阱区，是在所述低电位侧电路区与所述高电位侧电路区之间传递信号的电平移位电路中包括的电平变换元件的载体供给区；

第一导电型的载体接收区，其配置于所述漂移区或所述中央阱区，杂质浓度比所述漂移区或所述中央阱区的杂质浓度高，是所述电平变换元件的载体接收区；以及

第一导电型的第一接触区，其与所述载体接收区分离地配置于所述漂移区或所述中央阱区，杂质浓度比所述漂移区或所述中央阱区的杂质浓度高，

其中，形成所述第一接触区的区域处的所述环状阱区与所述埋入层之间的第一距离中的最小值比形成所述载体接收区的区域处的所述环状阱区与所述埋入层之间的第二距离中的最小值短。

2.一种半导体集成电路，是高电位侧电路区、包围该高电位侧电路区的高耐压结终端构造以及隔着该高耐压结终端构造包围所述高电位侧电路区的低电位侧电路区集成于同一半导体芯片的半导体集成电路，所述半导体集成电路的特征在于，具备：

第一导电型的中央阱区，其配置于所述高电位侧电路区；

第一导电型的埋入层，其埋入于所述中央阱区的下端；

第一导电型的环状的漂移区，其配置于所述高耐压结终端构造的包围所述中央阱区的周围的位置；

第二导电型的环状阱区，其包围所述漂移区的周围；

第一导电型的基区，其配置于所述漂移区；

第一导电型的载体供给区，其配置于所述基区，是在所述低电位侧电路区与所述高电位侧电路区之间传递信号的电平移位电路中包括的电平变换元件的载体供给区；

第一导电型的载体接收区，其配置于所述漂移区或所述中央阱区，杂质浓度比所述漂移区或所述中央阱区的杂质浓度高，是所述电平变换元件的载体接收区；以及

第一导电型的第一接触区，其与所述载体接收区分离地配置于所述漂移区或所述中央阱区，杂质浓度比所述漂移区或所述中央阱区的杂质浓度高，

其中，形成所述第一接触区的区域处的所述环状阱区与所述埋入层之间的第一距离中的最小值比形成所述载体接收区的区域处的所述环状阱区与所述埋入层之间的第二距离中的最小值短。

3.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，还具备：

所述电平变换元件的控制电极，其隔着栅极绝缘膜设置在所述环状阱区的、处于所述载体供给区与所述漂移区之间的部分的表面上；

载体供给电极，其与所述载体供给区及第二接触区接触；

载体接收电极，其与所述载体接收区接触；以及

二极管用电极，其与所述第一接触区接触。

4.根据权利要求2所述的半导体集成电路，其特征在于，

所述载体供给区配置于第一导电型的基区，该第一导电型的基区配置于所述环状阱区的内侧，

所述半导体集成电路还具备：

所述电平变换元件的控制电极，其隔着栅极绝缘膜设置在所述基区的、处于所述载体供给区与所述漂移区之间的部分的表面上；

载体供给电极，其与所述载体供给区接触；

载体接收电极，其与所述载体接收区接触；以及

二极管用电极，其与所述第一接触区接触。

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的半导体集成电路，其特征在于，

所述中央阱区选择性地设置于第二导电型的外延生长层，该第二导电型的外延生长层设置在第二导电型的半导体基板上。