[发明专利]一种富含花青素的花脸香蘑菌丝体及其培养方法与应用有效
申请号: | 202010167056.1 | 申请日: | 2020-03-11 |
公开(公告)号: | CN111386970B | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 徐宁;陆欢;王春晖;王小艳;黄晓辉;冯立国;姜性坚;彭运祥 | 申请(专利权)人: | 湖南省食用菌研究所 |
主分类号: | A01G18/40 | 分类号: | A01G18/40;A01G18/20;A23L31/00;A23L5/46;A61K47/46 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 肖云 |
地址: | 410000 湖南省长沙*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 富含 花青素 花脸 菌丝体 及其 培养 方法 应用 | ||
1.一种富含花青素的花脸香蘑菌丝体的培养方法,其特征在于:包括以下步骤:取花脸香蘑菌种进行通气发酵培养,培养时间为4~6天;
培养过程中,使用的是加入有添加剂的固体培养基,所述添加剂包括酵母铜、茶多酚、维生素C、酵母锌、甘氨酸铁、核黄素和L-苯丙氨酸;所述添加剂的添加量为5~10mg/g;
从培养后的第2天开始对培养基使用磁场处理,第2~3天采用50Hz、磁场强度为0.4~0.6mT的交变磁场进行磁化处理,处理时间为40~50min/天;从第4天开始采用50Hz、磁场强度为0.2~0.4mT的交变磁场进行磁化处理,处理时间为20~30min/天;发酵培养过程中,从第2天开始使用波长为蓝光与中波紫光交替照射培养基直至培养结束,其中,所述蓝光的波长为420~450nm,所述中波紫光的波长为280~320nm,蓝光照射时长为5~10min,中波紫光照射时长为15~20min。
2.根据权利要求1所述的富含花青素的花脸香蘑菌丝体的培养方法,其特征在于:发酵培养过程中通气量为1.1~1.2dm3/min。
3.根据权利要求1所述的富含花青素的花脸香蘑菌丝体的培养方法,其特征在于:发酵培养过程中的温度为20~28℃。
4.根据权利要求3所述的富含花青素的花脸香蘑菌丝体的培养方法,其特征在于:发酵培养过程中的温度为25℃。
5.根据权利要求1所述的富含花青素的花脸香蘑菌丝体的培养方法,其特征在于:所述固体培养基由以下重量份的原料制备而成:马铃薯180~220份、琼脂18~22份、葡萄糖1~2份、蔗糖2~3份、麦芽糖1~2份、蛋白胨0.2~0.5份、黄豆粉6~8份、七水硫酸镁0.5~1.5份和水800~1200份。
6.根据权利要求1所述的富含花青素的花脸香蘑菌丝体的培养方法,其特征在于:光照强度为25~30μW/cm2。
7.根据权利要求1所述的富含花青素的花脸香蘑菌丝体的培养方法,其特征在于:所述培养方法还包括在培养操作之前进行菌种选育操作,所述菌种选育的标准为:选择颜色鲜艳的品种。
8.一种富含花青素的花脸香蘑菌丝体,其特征在于:所述菌丝体通过如权利要求1至7任一项所述的方法培养得到。
9.如权利要求8所述的菌丝体在食品或药品着色中的应用。
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