[发明专利]功率半导体器件及功率半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 202010166471.5 | 申请日： | 2020-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN113394204B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 苏梨梨;曹俊;敖利波;史波;马浩华 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/31;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;何娇 |
| 地址： | 519000*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：
塑封壳体，在所述塑封壳体上设有栅极引脚、集电极引脚、发射极引脚、正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚；
封装在所述塑封壳体内的IGBT集成电路，其与所述栅极引脚、集电极引脚和发射极引脚相连；
封装在所述塑封壳体内的DigiPOT集成电路，其与正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚相连，该DigiPOT集成电路通过固有的输入端和输出端接入在所述IGBT集成电路的栅极结构层内，并作为能够调节阻值的栅极电阻；
还包括用于承载芯片并将所述IGBT集成电路与集电极引脚连接的铜片；所述铜片和集电极引脚为一体式结构。
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述DigiPOT集成电路和所述IGBT集成电路形成在同一个芯片中。
3.根据权利要求2所述的功率半导体器件，其特征在于，所述DigiPOT集成电路设于所述芯片的边角区域内。
4.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述DigiPOT集成电路和IGBT集成电路各为一个芯片。
5.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述栅极引脚、发射极引脚、正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚均通过键合线连接所述IGBT集成电路或DigiPOT集成电路。
6.根据权利要求5所述的功率半导体器件，其特征在于，所述键合线为铜线或金线。
7.根据权利要求1到4中任一项所述的功率半导体器件，其特征在于，所述功率半导体器件为单管式结构或模块式结构。
8.一种功率半导体器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法用于制造权利要求1至7中任一项所述的功率半导体器件，其包括以下步骤：
a、准备芯片，所述芯片包括IGBT集成电路和DigiPOT集成电路，其中所述DigiPOT集成电路通过固有的输入端和输出端接入在所述IGBT集成电路的栅极结构层内并作为能够调节阻值的栅极电阻；
b、将栅极引脚、集电极引脚和发射极引脚与所述IGBT集成电路相连，再将正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚与所述DigiPOT集成电路相连；
c、通过注塑方式对所述芯片进行封装，形成固定所述芯片及各个引脚用的塑封壳体。
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