[发明专利]一种量子阱结构及其生长方法

权利要求书

1.一种量子阱结构，其特征在于：包括依次层叠的衬底、缓冲层、下势垒层、势阱层和上势垒层；

所述上势垒层包括低温势垒层和高温势垒层，所述势阱层、所述低温势垒层与所述高温势垒层依次层叠；所述量子阱结构为InGaAs/GaAs量子阱结构；所述衬底为GaAs衬底、所述缓冲层为GaAs缓冲层、所述下势垒层为GaAs下势垒层、所述势阱层为InGaAs势阱层和所述低温势垒层为GaAs低温势垒层，所述高温势垒层为GaAs高温势垒层；所述GaAs低温势垒层生长温度为540℃～600℃；所述GaAs高温势垒层生长温度为600℃～700℃；所述GaAs低温势垒层厚度为1 nm～5nm；所述InGaAs势阱层中In组分占比为0.15～0.3，所述InGaAs势阱层厚度为5～10nm。

2.一种如权利要求1中的量子阱结构的生长方法，其特征在于：所述生长方法包括如下步骤：

a.将GaAs衬底置于外延生长装置中；

b.将温度升至700℃，对所述GaAs衬底去氧化物；

c.将温度降至T₁，在所述衬底上叠层生长GaAs缓冲层；

d.在所述GaAs缓冲层上生长GaAs下势垒层；

e.将温度降至T₂，在所述GaAs下势垒层上生长InGaAs势阱层；

f.在所述InGaAs势阱层上生长GaAs低温势垒层；

g.将温度升至T₃，在所述GaAs低温势垒层上生长GaAs高温势垒层；所述温度T₁ T₂，所述温度T₃T₂。

3.如权利要求2所述量子阱结构的 生长方法，其特征在于：所述外延生长装置为金属有机化学气相外延。