[发明专利]半导体激光器

说明书

半导体激光器(1)包括半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有n型传导的n型区域(21)、p型传导的p型区域(23)和位于其之间的用于产生激光辐射的有源区(22)。为了注入电流，直接在p型区域(23)处存在由透明导电氧化物构成的对于激光辐射可穿透的p型接触层(3)。直接在p型接触层(3)处安置有导电的且金属的p型接触结构(4)。p型接触层(3)是外罩层的一部分，使得激光辐射在半导体激光器(1)运行时常规地进入到p型接触层(3)中。半导体层序列(2)的两个棱面(25)形成用于激光辐射的谐振器端面。在直接在棱面(25)中的至少一个棱面处的至少一个电流保护区域(5)中，禁止到p型区域(23)中的电流注入。电流保护区域在垂直于所属的棱面(25)的方向上的扩展为至少0.5μm和最高100μm，并且附加地为用于激光辐射的谐振器长度的最高20％。

本发明专利申请是申请日为2016年9月27日、申请号为201680056018.0、发明名称为“半导体激光器”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

提出一种半导体激光器。

本申请要求德国专利申请10 2015 116 335.7的优先权，其公开内容通过参考并入本文。

发明内容

要实现的目的在于：提出一种半导体激光器，所述半导体激光器具有高的效率和大的输出功率。

所述目的还通过具有本发明的特征的半导体激光器来实现。优选的改进形式是下面说明书的主题。

根据至少一个实施方式，半导体激光器包括半导体层序列。半导体层序列包含n型传导的n型区域。同样地，半导体层序列具有p型传导的p型区域。在n型区域和p型区域之间存在有源区。有源区构建用于基于电致发光产生激光辐射。换言之，沿着或相反于半导体层序列的生长方向，n型区域、有源区和p型区域彼此相随，优选直接彼此相随。

半导体层序列优选基于III-V族化合物半导体材料。半导体材料例如为氮化物化合物半导体材料，如Al_nIn_1-n-mGa_mN，或为磷化物化合物半导体材料，如Al_nIn_1-n-mGa_mP，或也为砷化物化合物半导体材料，如Al_nIn_1-n-mGa_mAs，其中分别有0≤n≤1，0≤m≤1并且n+m≤1。在此，半导体层序列能够具有掺杂物以及附加的组成部分。然而，为了简单性仅说明半导体层序列的晶格的主要组成部分，即Al、As、Ga、In、N或P，即使这些主要组成部分能够部分地由少量的其他物质替代和/或补充时也如此。

根据至少一个实施方式，激光辐射具有如下最大强度的波长，所述波长位于近紫外光谱范围中。近紫外光谱范围尤其表示在200nm和420nm之间或在320nm和420nm之间的波长，其中包括边界值。替选地，半导体激光器设计用于：发射可见的激光辐射，例如蓝色的激光辐射或红色的激光辐射。蓝光优选涉及至少420nm和/或最高490nm的主波长。尤其将在600nm和700nm之间的主波长理解为红光，其中包括边界值。还可行的是：激光辐射为近红外辐射，即为最大强度的波长例如在700nm和1600nm之间的辐射，其中包括边界值。同样地，能够产生在490nm和600nm之间的绿色或黄色光谱范围中的激光辐射。

根据至少一个实施方式，半导体激光器具有p型接触层。p型接触层优选直接处于p型区域处。此外，p型接触层设置用于将电流直接注入到p型区域中。